模拟电子技术课件完整(第四版)胡宴如主编.ppt

例3.2.4 已知UGS(off)= ? 0.8V, IDSS = 0.18 mA, 求“Q” 解方程得：IDQ1 = 0.69 mA, UGSQ = – 2.5V (增根, 舍去) 二、性能指标分析 2. 共漏放大电路 二、RC 高通电路的频率特性 ? ? ? 令 1/RC = ?L 则 fL = 1/2?RC 超前 f ? 10 fL 20lg|Au| = 0 dB f = fL 20lg|Au| = 20lg0.7071 = -3 dB f ? 0.1 fL 20lg|Au| = -20lg f / fH R C ? ? 波特图 频率特性 ? 90? f O |Au | 1 0.707 O 45? ? fL f f / fL O ? 20lg|Au |/dB –20 O 45? ? 90? –40 0.1 1 10 0.1 1 10 f / fL – 20 dB/十倍频 –45?/十倍频 第 5 章　线性集成电路的应用 例 5.1.1 求已知一阶低通电路的上限截止频率。 0.01 ?F 1 k? 1 k? 1//1 k? 0.01 ?F 例 5.1.2 已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz，求电容 C。 500 ? C 2 k? 戴维宁定理等效 第 5 章　线性集成电路的应用 5.1.2 晶体管及其单级放大电路的频率特性 一、单级阻容耦合放大器的中频和低频特性 +VCC RC C1 C2 V RL + + RB1 RB2 RS US ? 1. 中频特性 C1、C2 可视为短路 极间电容可视为开路 2. 低频特性： 极间电容视为开路 耦合电容 C1、C2 与电路中电阻串联容抗不能忽略 第 5 章　线性集成电路的应用 ? ? ? ? ? ? ? ? ? 结论: 频率降低, Aus 随之减小, 输出比输入电压相位超前。 R?B rbe ? ? 第 5 章　线性集成电路的应用 因 ? 值随频率升高而降低，高频下不能采用 H 参数等效电路。 二、单级放大器的高频特性 1. 晶体三极管的混合 ? 型等效电路 B? E B C rbb? rb?e rb?c Cb?c Cb?e Cb?e ：不恒定， 与工作状态有关 Cb?c ：几 pF，限制着放大器频带的展宽 B B? C ? ? E rbb? rb?e Cb?e Cb?c ? ? ? ? ? 受控 电流源 ? ? ? 三极管跨导 低频电流放大系数 ? ? 表示集电极有效输入电压 Ube 对 Ic的控制作用 ? ? 第 5 章　线性集成电路的应用 2. ? 与频率 f 的关系 ? = 0.707?0 ? f ?o 0.707?o f? 1 fT f? — 共发射极截止频率 fT — 特征频率 ? = 1 可求得： 同样可求得： 可见： O 第 5 章　线性集成电路的应用 3. 晶体管单级放大电路高频特性 (C1，C2 视为短路) E B B? C rbb? rb?e Cb?e Cb?c R?L RS ? US ? ? ? rbb? E B B? C rb?e Cb?e R?L CM RS US ? ? ? ? 密勒等效 CM= (1 + gmR?L ) Cb?c 在输出回路略去 Cb?c ? ? ? ? ? ? ? R?L = RC // RL ?H = 1/RtCt fH = 1/2? RtCt Rt = (RS + r bb? )//rb?e Ct = Cb?e + CM = Cb ?e+(1 + gmR?L ) Cb?c 增益带宽积 G ?BW = Aus0 ? fH (常数) 结论：频率升高， Au 减小 输出相位滞后 增益带宽积为常数 第 5 章　线性集成电路的应用 5.1.3 集成运算放大器高频参数及其影响 一、小信号频率参数 f / Hz 20lgAud (f) /dB f H O f T 1. 开环带宽BW BW = f H 2. 单位增益带宽 BWG BWG = f T 运放闭环工作时， 带宽增益积 = Aud f H fH 为开环增益下降 3 dB 时的频率 通用型集成运放带宽较窄(几赫兹) f T 为开环增益下降至 0 dB(即Aud = 1)时的频率 带宽增益积 = 1 ? f T = f T = BWG = Aud f H ? BWG = Aud BW f = 0，使 Auf = 1，当 Auf 降为 0.707 时，此时的频率即为 fT。 BWG = Auf BWf 如 741 型运放: Aud = 104，BW = 7 Hz，Auf = 10， 则 BWf = 7 kHz 0 第 5 章　线性集成电路的应用 二、大信号频率参数 1.