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2A、600VN沟道增强型场效应管
东森微电子 SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
2A 、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应
晶体管采用SL的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制
造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导
通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换
器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装形式
SVF2N60M TO-251-3L SVF2N60M 无铅 料管
SVF2N60M TO-251D-3L SVF2N60M 无铅 料管
SVF2N60MJ TO-251J-3L SVF2N60MJ 无铅 料管
SVF2N60N TO-126-3L SVF2N60N 无铅 袋装
SVF2N60F TO-220F-3L SVF2N60F 无铅 料管
SVF2N60T TO-220-3L SVF2N60T 无铅 料管
SVF2N60D TO-252-2L SVF2N60D 无铅 料管
SVF2N60DTR TO-252-2L SVF2N60D 无铅 编带
昆山东森微电子有限公司 版本号：1.3 2011.09.01
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SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数范围
参数名称 符号 SVF2N SVF2N SVF2N SVF2N SVF2N 单位
60M/D 60MJ 60N 60T 60F
漏源电压 VDS 600 V
栅源电压 VGS ±30 V
TC=25°C 2.0
漏极电流 ID A
TC=100°C
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