含多层！#$量子点的双肖特基势垒二极管输运特性研究！.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 . !$ $! !$ ， ， ， FGH ,. EG , !$ IJJ:KJL $! （ ） !-0$@$!@. !$ @$.%-. *3A* BCD2(3* 2(E(3* $! 3M) , BMN+ , 2G , 研究快讯 含多层!#$ 量子点的双肖特基势垒 二极管输运特性研究! 李宏伟 王太宏 （中国科学院物理研究所，北京 !# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $! % $ $! # ’ 研究了含多层()*+ 量子点结构的双肖特基势垒的电流输运特性，观察到了量子点的电子存储效应及其对电 流的调制现象、电流多稳态现象和零点电压漂移现象 因为多量子点之间存在耦合作用，造成器件中的很多亚稳 , 态 通过器件的输运特性显示出比含单层量子点器件更复杂的结果 随着外加电压的变化，器件经历很多弛豫过 , , 程 这些弛豫过程在电流 电压曲线中造成很多电流跳跃结构和各种噪声结构 , - , 关键词：多量子点，迟滞现象，单电子过程 ： ， ， %# /0%1 /0’2 /00.3 较，两种器件都存在由于电子存储效应引起的电流 ! 引 言 回路现象和量子点中电子放电引起的电流跳跃结 ［］ 构/ , 与含单层量子点器件不同的是我们还观察到 近年来人们对自组装量子点的研究不断深入， 了多稳态现象和零点电压漂移现象 另外，这种多 , ［，］ ! $ 但是大部分工作只是集中于量子点的生长 、结 层量子点器件还表现出比单层量子点器件更大的噪 ［，］ ［］ 0 ’ . 构 和光学性质 ，对通过自组装量子点的电学 声特性，我们认为这些现象来源于多量子点层之间 ［］ 输运性质的研究还比较少% , 我们曾经报道过通过 的耦合相互作用，这种耦合造成电子随外加偏压在 含单层自组装 ()*+ 量子点的双肖特基势垒的输运 不同层的量子点之间重新分布，导致很多亚稳态和 ［］ 特性/ ，在我们的器件中观察到了电流迟滞回路现 弛豫过程, 象