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础设施,得到了企业界、商界、政 业经济收入占GDP比重要超过7%。
府界和广大的消费者热烈支持;第 其次,半导体电子元器件业界 中:日本增长达38.9%,美国增长达
三,电子欧洲的计划正在不断地走 发展和创新势头依然很猛。比如:
长达20.9%
向深入,在这个过程中,英国又率 ●Intel和ADI联合宣布他们联
先推出了一系列有决定性的行动, 袂设计开发Eric的DSP新核结构, Group、
其中最引人瞩目的是在内阁建立电 该新核结构将DSP和微处理器的特
子交易委员会,全面推进电子化;第 点结合在一个平台上。 测,电子元器件市场增长态势和两
四,中国政府明确提出了“十五” ●Intel研制出0.03微米线宽工
信息化的框架,要以信息化带动工 艺,可制成运算速度达100亿次的
业化,实现国民经济跨越增长,国 芯片,集成4亿个晶体管 在25%-30%之间。
家信息化的综合指数要达到90%以 ●半导体芯片工艺中的铜布线, 如此等等,我们有理由相信,清
上,网络规模和容量同样在未来几 SOI衬底芯片技术被正式采用 除泡沫,重整队伍后的IT业和世界
年占世界第一位,电话的普及率要 ●预计2000年全球半导体销售电子元器件业不会停止他们发展的
从目前的18%上升到35%,信息产额第一次突破2000亿美元,达到脚步,“纳指”也没有悲观的理由。
㈣
I R新型同步整流集成电路
国际整流器公司(简称SR)推出专用同步整流
集成电路IRll76。该产品能简化和改善隔离式直流一通道传输。
直流变换器设计,将其输出电压降至1.5V,全面提 IR公司
高电信及宽频网络服务器的效率。 全球销售高
IRll76同步整流集成电路辅之以直流一直流变换级副总裁曾
器专用的HEXFET功率MOSFET(如IRF7822),海邦先生指
即可提高1.5V及1.8V直流-直流变换器的额定效率,出,IRll76
可独立于原
在输入电压48V,输出1.5V和1.8V在40A电流下
的电路内效率分别达85%和86%。IRll76能加强对边结构,并
栅驱动器电路的控制,减少隔离式直流一直流变换器 可直接用于
同步整流MOSFET的付边损耗。 简单、低成
在实际操作上,IRll76利用改良的锁相环路,本二极管或谐振复位正激结构,毋须有源箝位或栅
将付边同步整流MOSFET的开关频率锁定为原边开驱动补偿等精细或专利电路。
关动作。这样便可预先启动付边MOSFET,并编程
控制开关过渡时间、死区时间,以及栅驱动信号的 完美匹配,增强隔离同步整流效率,特别适用于要
重叠。预先启动MOSFET有助消除寄生二极管导通求极高的1·8V和1·5V应用。 ㈣
万方数据
澄赛毒子元器件200l,l
IR新型同步整流集成电路
刊名:
世界电子元器件
英文刊名: GLOBAL ELECTRONIC COMPONENTS
年,卷(期): 2001(1)
本文链接:/Periodical_sjdzyqj200101032.aspx
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