MOSFET管的应用研究.PDF

软件应用 • Software Application MOSFET管的应用研究 文/沈吉文 高的要求，安全阈值十分小，因此这也是限制 比MOS1 则将短沟道效应考虑在 内，以几何 SiC是一种新型的功率器件， 摘 MOSFET 广泛运用的重要原因。 图形作为分析对象搭建模型，对电荷储存效应 来近几年广泛的运用于高温高频 要 开关工作，相关的研究工作进展 目前投入应用的MOSFET 主要分为结型 也有一定的分析作用。MOS3 则是基于本经验 十分迅猛。笔者主要研究 MOSFET 以及绝缘栅型，后者的MOS 型是应用热点， 模型的，运算量有了很大的简化，通常所需的 管的特性以及参数，并通过能够 适应宽范围温度的仿真模型进行 我们简称其为功率 MOSFET 。功率 MOSFET 外特性 曲线参数提取法都运用到此种模型。 模拟，对 MOSFET 单管的应用进行 研究，分析了 MOSFET 对驱动电路 的主要特点是能够利用栅极电压对漏极电流进 MOSFET 建模通常需要参数微调，提高模型 的要求。最后根据 MOSFET 的工 行控制，驱动电路结构比较简单，所需的驱动 适用性。 作原理进行应用分析，列举若干 MOSFET管的常见应用。 功率不大，开关速度响应快，工作频率高， MOSFET 静态特性模型主要由单元 M 1、 但是缺点是 电流容量较小，耐压性能不佳。 提二极管、导通电阻以及温控电压源电流源组 MOSFET 根据导 电沟道进行分类可 以分为 P 成。为了提高模型的精度，笔者并没有采用体 【关键词】MOSFET 碳化硅 驱动电路 模型 沟道 以及 N 沟道。根据栅极电压幅值进行划 二极管的参数，而是用独立的二极管模型对二 分可 以分为耗尽型和增强型。功率 MOSFET 极管进行描述。根据技术手册可以获得转移特 多采用 N 沟道增强型。MOSFET 有三个工作 性曲线，然后 Model Editor 从中提取出沟道宽 半导体材料在电子行业 占据着重要地位， 区：非饱和区 （可变电阻区）、饱和区 （恒流 度和 KP 。 广泛运用于工业、医疗等领域。随着科学技术 区）和截止区。当 MOSFET 导通时，仅一种 MOSFET 动态特性模型主要是为了得到 的进步，以及对工作频率的要求的不断提升， 多子用于导电，则是单极型晶体管，MOSFT 其开关特性，该特性主要 由寄生 电容确定。 MOSFET 的问世为解决更高功率等级问题提 几乎都采用垂直导电的结构，故而也常称作 MOSFET 管的寄生 电容与电压是非线性的函 供新思路。MOSFET 得到了广泛的关注，并 VMOSFET 。MOSFET 的工作原理是通过在漏 数关系，不影响建模精度的情况下，可以忽略 逐渐形成了 Si MOSFET 和 SiC MOSFET 两种 源极间加上正电源，栅源极间的电压为 0 。栅 温度对电容的影响。 主要形式。由于后者相比前者导通电阻更低， 极是绝