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Ho3掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与光谱特性-中国建筑材料联合会
第 44 卷第 10 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 44 ,No. 10
2 0 1 6 年 1 0 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY October,2016
DOI :10.14062/j.issn.0454-5648.2016.10.09
Ho3+掺杂Bi Si O 晶体的生长与光谱特性
4 3 12
温裕贤,张 彦,储耀卿,杨波波,徐家跃
(上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所,上海 201418)
摘 要:采用坩埚下降法生长了尺寸为25 mm×100 mm 的Ho3+掺杂的 Bi Si O (BSO:Ho)晶体,研究了所得晶体的透射光谱、
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激发光谱、发射光谱等特性。结果表明:BSO:Ho 晶体透射光谱与纯BSO 晶体基本一致,在350~800 nm 波长范围的透过率约
为 80%,吸收边在286 nm 处;在 360、454 和 537 nm 处存在与 Ho3+有关的吸收峰;激发光谱在 240~310 nm 波段出现 1 个宽
的激发带,峰值在290 nm 左右;发射光谱中除 480 nm 发射带外,在 573 nm 附近有多个与Ho3+有关的尖锐发射峰。BSO:Ho
晶体的主要发光分量的荧光衰减时间为94.41 ns,表明掺杂0.1%Ho3+(摩尔分数)有利于提高 BSO 晶体的闪烁性能。
关键词:硅酸铋晶体;坩埚下降法;晶体生长;钬掺杂;光谱性能
中图分类号:O782 文献标志码:A 文章编号:0454–5648(2016)10–1446–05
网络出版时间:2016–09–26 16:54:53 网络出版地址:/kcms/detail/11.2310.TQ1654.011.html
Growth and Spectral Properties of Ho-doped Bi Si O Crystal
4 3 12
WEN Yuxian, ZHANG Yan, CHU Yaoqing, YANG Bobo, XU Jiayue
(Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology,
Shanghai 201418, China)
Abstract: Ho-doped Bi Si O (BSO:Ho) crystal with 25 mm in diameter and 100 mm in length was grown by a modified vertical
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Bridgman method. The transmission spectra, excitation spectra, emission spectra and decay time of the as-grown crystal were
investigated. S
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