芯片解密手段实操(一).pdf

芯片解密手段实操 （一） 芯片解密，对于大家来说，都是非常熟悉的，可能大部 份人在网上搜到的，都是基本的概念，告诉你芯片解密是怎 么一回事，今天，我们在这里，就是真正的跟大家分享这个 实操的方法，感谢橙盒科技解密研究所的工程师们对我们这 个文章的大力支持，向我们提供了很多的图片资料。 在芯片解密的实际操作中，以线路修补和布局验证这一 类的工作具有最大经济效益，局部的线路修改可省略重作光 罩和初次试作的研发成本,这样的运作模式对缩短研发到量 产的时程绝对有效，同时节省大量研发费用。封装后的芯片， 经测试需将两条线路连接进行功能测试，此时可利用聚焦离 子束系统将器件上层的钝化层打开，露出需要连接的两个金 属导线，利用离子束沉积Pt材料，从而将两条导线连接在 一起，由此可大大缩短芯片的开发时间。这也是芯片解密常 用到手法。如有问题可以0755共同探讨！ 那么实际的操作又是怎样的呢？接下来，我就来跟大家 一步步说明： 利用聚焦离子束进行线路修改,(A)、(B)将欲连接线路 上的钝化层打开，(C) 沉积Pt材料将两个线路连接起来。 其实FIB被应用于修改芯片线路只是其功能之一，这里 介绍一下另几个功能：样品原位加工 可以想象，聚焦离子束就像一把尖端只有数十纳米的手 术刀。离子束在靶材表面产生的二次电子成像具有纳米级别 的显微分辨能力，所以聚焦离子束系统相当于一个可以在高 倍显微镜下操作的微加工台，它可以用来在任何一个部位溅 射剥离或沉积材料。 图1是使用聚焦离子束系统篆刻的数字；图2则是在一 个纳米带上加工的阵列孔；图3是为加工的横向存储器单元 阵列。 剖面制备观察 微电子、半导体以及各型功能器件领域中，由于涉及工 艺较多且繁杂。一款器件的开发测试中总会遇到实际结果与 设计指标的偏差，器件测试后的失效，逻辑功能的异常等等， 对于上述问题的直观可靠的分析就是制备相应的器件剖面， 从物理层次直观的表征造成器件异常的原因。 诱导沉积材料 利用电子束或离子束将金属有机气体化合物分解，从而 可在样品的特定区域进行材料沉积。本系统可供沉积的材料 有：SiO2、Pt、W。沉积的图形有点阵，直线等，利用系统 沉积金属材料的功能，可对器件电路进行相应的修改，更改 电路功能。 透射(TEM)制样 无论是透射电镜还是扫描透射电镜样品都需要制备非 常薄的样品，以便电子能够穿透样品，形成电子衍射图像。 传统的制备TEM样品的方法是机械切片研磨，用这种方法只 能分析大面积样品。采用聚焦离子束则可以对样品的某一局 部切片进行观察。与切割横截面的方法一样，制作TEM样品 是利用聚焦离子束从前后两个方向加工，最后在中间留下一 个薄的区域作为TEM观察的样品。下图所示为TEM制样的工 艺过程。 原位电性能测试 微操纵仪(Kleindiek Nanotechnik MM3A)具有纳米级的 步进精度，X轴和Y轴的转动量为120度，于水平进退 （X 轴）、水平转动 （Y轴）以及垂直转动 （Z轴）方向，的位 移精度分别为2、2.5、0.2nm。MM3A微操纵仪由压电马达、 针尖组件、控制单元和外围支架组成。压电马达由定子和滑 块组成。压电马达由伸长量为1um 的压电陶瓷实现高精度位 移，马达驱动电压为-80v~+80v，驱动模式分为精调模式和 粗调模式各三档，采用一个12位数模转换器，将X、Y和Z 方向的步进分成4096步，从而实现纳米级的精确位移。本 系统最多可独立加载三路电压。 说明一下：这里的探针也是常用的芯片解密用工具之一。 至于复杂的探针组如何用来芯片解密，那就是技术上的事了。 点到为止。 这就是芯片解密常用的一些工具，把这些介绍给大家， 是希望大家对芯片解密这一技术有一个比较清晰的了解，而 不是单纯的字面意思，非常感谢大家的关注，接下来我们将 进一步讲解如何芯片解密，欢迎继续关注我们，谢谢！