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芯片解密手段实操(一)
芯片解密手段实操 (一)
芯片解密,对于大家来说,都是非常熟悉的,可能大部
份人在网上搜到的,都是基本的概念,告诉你芯片解密是怎
么一回事,今天,我们在这里,就是真正的跟大家分享这个
实操的方法,感谢橙盒科技解密研究所的工程师们对我们这
个文章的大力支持,向我们提供了很多的图片资料。
在芯片解密的实际操作中,以线路修补和布局验证这一
类的工作具有最大经济效益,局部的线路修改可省略重作光
罩和初次试作的研发成本,这样的运作模式对缩短研发到量
产的时程绝对有效,同时节省大量研发费用。封装后的芯片,
经测试需将两条线路连接进行功能测试,此时可利用聚焦离
子束系统将器件上层的钝化层打开,露出需要连接的两个金
属导线,利用离子束沉积Pt材料,从而将两条导线连接在
一起,由此可大大缩短芯片的开发时间。这也是芯片解密常
用到手法。如有问题可以0755共同探讨!
那么实际的操作又是怎样的呢?接下来,我就来跟大家
一步步说明:
利用聚焦离子束进行线路修改,(A)、(B)将欲连接线路
上的钝化层打开,(C) 沉积Pt材料将两个线路连接起来。
其实FIB被应用于修改芯片线路只是其功能之一,这里
介绍一下另几个功能:样品原位加工
可以想象,聚焦离子束就像一把尖端只有数十纳米的手
术刀。离子束在靶材表面产生的二次电子成像具有纳米级别
的显微分辨能力,所以聚焦离子束系统相当于一个可以在高
倍显微镜下操作的微加工台,它可以用来在任何一个部位溅
射剥离或沉积材料。
图1是使用聚焦离子束系统篆刻的数字;图2则是在一
个纳米带上加工的阵列孔;图3是为加工的横向存储器单元
阵列。
剖面制备观察
微电子、半导体以及各型功能器件领域中,由于涉及工
艺较多且繁杂。一款器件的开发测试中总会遇到实际结果与
设计指标的偏差,器件测试后的失效,逻辑功能的异常等等,
对于上述问题的直观可靠的分析就是制备相应的器件剖面,
从物理层次直观的表征造成器件异常的原因。
诱导沉积材料
利用电子束或离子束将金属有机气体化合物分解,从而
可在样品的特定区域进行材料沉积。本系统可供沉积的材料
有:SiO2、Pt、W。沉积的图形有点阵,直线等,利用系统
沉积金属材料的功能,可对器件电路进行相应的修改,更改
电路功能。
透射(TEM)制样
无论是透射电镜还是扫描透射电镜样品都需要制备非
常薄的样品,以便电子能够穿透样品,形成电子衍射图像。
传统的制备TEM样品的方法是机械切片研磨,用这种方法只
能分析大面积样品。采用聚焦离子束则可以对样品的某一局
部切片进行观察。与切割横截面的方法一样,制作TEM样品
是利用聚焦离子束从前后两个方向加工,最后在中间留下一
个薄的区域作为TEM观察的样品。下图所示为TEM制样的工
艺过程。
原位电性能测试
微操纵仪(Kleindiek Nanotechnik MM3A)具有纳米级的
步进精度,X轴和Y轴的转动量为120度,于水平进退 (X
轴)、水平转动 (Y轴)以及垂直转动 (Z轴)方向,的位
移精度分别为2、2.5、0.2nm。MM3A微操纵仪由压电马达、
针尖组件、控制单元和外围支架组成。压电马达由定子和滑
块组成。压电马达由伸长量为1um 的压电陶瓷实现高精度位
移,马达驱动电压为-80v~+80v,驱动模式分为精调模式和
粗调模式各三档,采用一个12位数模转换器,将X、Y和Z
方向的步进分成4096步,从而实现纳米级的精确位移。本
系统最多可独立加载三路电压。
说明一下:这里的探针也是常用的芯片解密用工具之一。
至于复杂的探针组如何用来芯片解密,那就是技术上的事了。
点到为止。
这就是芯片解密常用的一些工具,把这些介绍给大家,
是希望大家对芯片解密这一技术有一个比较清晰的了解,而
不是单纯的字面意思,非常感谢大家的关注,接下来我们将
进一步讲解如何芯片解密,欢迎继续关注我们,谢谢!
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