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TPS5430 中文资料 降压变换器电路以新型集成降压芯片TPS5430 为核心，外围电路接合实际要求 进行参数配置。其具体应用电路设计如图1-1 所示。 图1-1 降压变换器电路 1.1 TPS5430 芯片简介 作为SWIFT™的DC / DC 稳压器系列的成员，该款TPS5430 是一个高输出电 流PWM 转换器，它集成了低阻抗高侧N 沟道MOSFET 。其内部集成了一个高性能 的电压误差放大器，在瞬态条件下有严格的电压调节精度，具有欠压锁定功能，以 防止输入电压达到5.5V 时启动; 内置慢启动电路限制浪涌电流，电压前馈电路改善 瞬态响应。其他功能还包括一个灵敏的高电平使能端、过电流保护和热关机。为了 降低设计的复杂性和外部元件数量，该款TPS5430 具有内部反馈补偿回路。 该款TPS5430 器件采用热增强型，可方便使用8 引脚SOIC PowerPad™封装。 TI 提供评估模块和 SWIFT™设计者的软件工具，以帮助尽快实现高性能电源设备 的设计，以满足更短的开发周期。 这些器件具有有限的内置 ESD 保护。引线应短接在一起或将器件放置储存器 的导电泡棉放以防止静电损坏MOS 门极。 （1） TPS5430 封装 TPS5430 封装及引脚分配如图 1-2 所示。 1 图 1-2 外部封装图 （2 ） TPS5430 引脚功能 TPS5430 引脚功能描述如表1。 表1 引脚功能描述 Name No. 功能描述 BOOT 1 升压电容的高侧FET 栅极驱动器。与PH 端连接0.01 μF 低ESR 电容 NC 2, 3 空闲 VSENSE 4 反馈电压调节器。连接到输出电压的分压器。 ENA 5 开关控制.低于0.5 V时，设备停止工作。使能接地 GND 6 接地端。连接到使用PowerPad 。 VIN 7 输入电源电压。旁路到GND 管脚VIN 端子接近器件封装 具有高品质，低ESR 的陶瓷电容器。 PH 8 高偏功率MOSFET 的源级。连接到外部电感器和二极管。 PowerPAD 9 正确操作为GND 连接到外露焊盘 具体说明如下： ①欠压锁定（UVLO ） 当VIN （输入电压）是低于UVLO 启动电压阈值时，TPS5430 采用欠电压闭锁 电路以保持设备禁用。在上电时，内部电路运行无效，直到输入电压超过UVLO 阈 值电压启动。一旦欠压锁定阈值电压达到启动电压，设备开始启动。该器件工作， 直到输入电压下降至低于UVLO 阈值电压才停止。在UVLO 比较器典型迟滞电压 是330 mV 。 2 ②升压电容器 在PH 引脚与BOOT 引脚之间接一个0.01 μF 的低ESR 陶瓷电容。这电容器提 供了高边MOSFET 栅极驱动电压。 ③输出反馈（VSENSE ）和内部补偿 该稳压器输出电压是由反馈到VSENSE 管脚由外部电阻分压器设定的。在稳态 运行时，VSENSE 管脚电压应等于参考电压1.221V。该款TPS5430 实现内部补偿， 以简化稳压管的设计。由于该款TPS5430 采用电压模式控制，为了提供高交叉频率 [8] 和高稳定性的相位裕度，芯片设计采用Ⅲ型补偿网络 。 ④电压前馈 尽管输入电压有变化，内部电压前馈提供恒定