ANDNGTB20N60L2TF1GCNDNGTB20N60L2TF1G高速开关应用.PDF

ANDNGTB20N60L2TF1GCN/D NGTB20N60L2TF1G 高速开关应用 概要 通常, Power IGBT在开关工作的Cut-off时Ic发生 Tailing现象。因此目前, 当在开关电源或变频器等 应用资料 应用中使用IGBT时, 工作频率受限, 应用范围较小。 此次开发的FS-2 IGBT在开关时几乎不发生Ic Tailing, 所以可使用于Interleave PFC电路, 尤其适 L负载开关工作测试与比较 用于输出功率超过1kW的空调PFC电路。 首先, 在L负载开关电路中进行了两者比较。关 IGBT的开关性能评价 于开关时间(tf, ton等), 开关损失(Eon, Eoff), 观测 作为左右电路效率的IGBT的特性, 重要的项目 点如fig.1所示。 为VCE(sat)特性和开关特性。但当频率超过15kHz 调节Ic电流进行测定并确认了 NPT型(WP.1)在 时, 开关特性成为支配性的。我们比较了作为 Cut-off时发生Ic tailing, 而FS-2几乎没有发生Ic Power IGBT使用的NPT型与此次开发的FS-2型 tailing (WP.2) 。由此可见, NPT在电流较低的领域 的开关特性。 有发生Ic tailing, 而FS-2在广范围的电流领域显示 了良好的下降特性。当比较两者的Eoff的电流依存 当考虑适用于Interleave PFC电路的情况: 当负载轻时, 进入不连续模式或者临界模式, 而且 性时发现 (如fig.2所示), 在低电流领域的差较大, 在其他的电流领域两者的差很小。 由于Inductor的值低于1mH, Ic波形有倾斜。作为开 使用该开关损失Eoff的值来计算频率变化与开关 关损失, Eoff(下降)的值的评价比Eon(上升)具有支 配性。 损失。工作频率设定为f[Hz], 则计算如下: P(Eoff）=f × Eoff [W] 连续模式工作的场合, 还要加上Eon的项目。由于 实际上波形具有倾斜, 故 EonEoff, 开关损失为 Eoff的影响变大。 Eoff VS Ic