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练习一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。二、选择正确答案填空(24分)
1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。 A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。A.1500 B.80 C.50 D.307.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( )。A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器
三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。1.分别指出V1、V2的电路组态;2.画出图示电路简化的H参数微变等效电路;3.计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)
四、图示运算放大电路中,已知u1 = 10 mV,u2 = 30 mV,求uO = ?(10分)
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