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AP1N60MSI
600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description
The AP 1N60MSI is silicon N-channel Enhanced
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
which reduce the conduction loss, improve switching
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency.
General Features
VDS =650V,ID =1A
RDS(ON) 11Ω@ VGS=10V
Application
Uninterruptible Power Supply(UPS)
Power Factor Correction (PFC)
Package Marking and Ordering Information
Product ID Pack Marking Qty(PCS)
AP1N60MSI SOT-223 AP1N60MSI 1000
Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)
C
Symbol Parameter Value Unit
VDS Drain-source Voltage 600 V
VGS gate-source Voltage ±30 V
ID Continuous Drain Current TC=25℃ 1.0*
A
ID Continuous Drain Current TC=100℃ 0.6* A
IDM Drain Current -Pulsed 4.0 A
P Power Dissipat
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