电子厂工艺流程介绍：LTPS TFT-LCD制程介绍.pptx

LTPS TFT-LCD之ARRAY制程Confidential, unpublished property of LK. Do not duplicate or distribute ? LK Engineering Co., Ltd. 2006内容1.1 LTPS TFT-LCD显示器简介1.2 LTPS TFT之Array1.2.1 Thin film1.2.2 ELA1.2.3 Photo1.2.4 EtchingLTPS TFT-LCD显示器简介 名词解释： TFT：Thin Film Transistor 薄膜场效应晶体管 LCD：Liquid Crystal Display 液晶显示器CFTFT-LCD显示器 名词解释： ARRAY:TFT的阵列 CF:彩膜 CELL:成盒 MODULE:模组 ARRAYCELLMODULETFT-LCD的结构LTPS TFT-LCD显示器简介（Module-模组，偏光板，PCB板，广视角的组装）（ARRAY-TFT阵列）（CELL-配向膜，液晶灌注）（Color Filter-彩膜）LTPS TFT-LCD显示器简介在LTPS TFT-LCD的各层中，TFT层占据着极为重要的地位，是LTPS制程中的重要组成部分。下面我们来看一下该层是如何形成的。 （背光源）（下偏光板）（薄膜晶体管）（彩膜RGB）液晶（上偏光板）LTPS TFT工艺概述名词解释：LTPS：Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅LTPS〈低温多晶硅〉就是在摄氏600 ℃或更低的温度下经过准分子镭射回火(Excimer Laser Anneal)的制程步骤所生产的多晶硅。利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的光束，投射于非晶硅结构上，当非晶硅吸收镭射的能量后，薄膜熔融、结晶，转变成为多晶硅结构。p-Si准分子镭射晶化LTPS在TFT中的位置LTPS TFT工艺概述LTPS TFT的工艺主要分为三大类：成膜制程（Thin Film）光刻制程 (Photo)蚀刻制程 ( Etching)玻璃基板投入后，先经过成膜制程，然后进入光刻制程，最后送入蚀刻制程，这样一道光罩的工序就基本完成了，而完整的LTPS TFT通常需要7~11次光罩，所以每完成一道光罩都需要循环一次，直到最后LTPS TFT的完成。7~11次maskLTPS TFT-LCD制程之Thin Film在LTPS形成以前需要在玻璃基板上沉积一层非晶硅的薄膜。在晶片上形成膜的技术可分为：1、薄膜成长：会消耗晶片或底材的材料2、薄膜沉积： a 物理气相沉积（PVD） b 化学气相沉积 (CVD)由于第一种方法需要消耗晶片或底材的材料，所以现在一般采用的方法为物理气相沉积和化学气相沉积 薄膜成长Thin film物理气相沉积（PVD）薄膜沉积化学气相沉积（CVD）LTPS TFT-LCD制程之Thin Film物理气相沉积（PVD）：物理气相沉积分为蒸镀和溅镀1、蒸镀：将被蒸镀物体加热（电阻式或电子束），利用其在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜的沉积。2、溅镀：利用电浆内产生的部分离子加速撞击置于阴极板的电极材料，所击出的原子沉积于另一电极的表面。溅镀示意图蒸镀示意图LTPS TFT-LCD制程之Thin Film溅镀主要有以下几种方法：1、传统式：直流电浆，磁控DC电源，属于高速低温溅镀法.该工艺要求真空度在1×10-3Torr左右，即1.3×10-3Pa的真空状态充入惰性气体氩气（Ar），并在玻璃基材（阳极）和金属靶材（阴极）之间加上高压直流电，由于辉光放电（glow discharge）产生的电子激发惰性气体，产生等离子体，等离子体将金属靶材的原子轰出，沉积在玻璃基材上.DC溅镀机的基本构造图磁控DC溅镀机的构造图LTPS TFT-LCD制程之Thin Film2、准直管法：T/W：1/1到2/1之间该方法的缺点是维护高，成本较昂贵。准直管法溅镀示意图3、长投法：可视为一个单一的准直管缺点是沉积速率慢长投法溅镀示意图LTPS TFT-LCD制程之Thin Film4.离子化法：在溅镀室周围加一RF线圈以增加金属粒子滞留于电浆内的时间，进而提高金属粒子被离子化的机会，使得这些被离子化的金属粒子倾向以和晶片表面垂直的方向移动。此工程需在较高的气体压力下操作：约20~35mtorr离子化法溅镀示意图注：Mtorr：微米汞柱的压强，是毫米汞柱的千分之一，1Mtorr约为0.133PaLTPS TFT-LCD制程之Thin Film化学气相沉积：化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术，