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半导体制程概要 PIE 03 DIFF 10 IMP 15 VACUUM 17 WET 19 CVD 21 PVD 24 CMP 27 PHOTO 30 ETCH 41 MFG 49 FAC 69 Accounting 73 FA 75 PIE 1, 300mm wafer代表何意义？ 答：12寸芯片直径为300mm即12寸wafer. 2, 为何需要300mm? 答：wafer size变大，单一wafer上的芯片数变多，单位成本降低。200-300面积增加2.25倍，芯片数目约增加2.5倍。 3, 300mm wafer所用的原材料type? 答：P-type。 4, 何谓p-type的wafer? 答：P-type的wafer是指掺杂positive dopant（3价电荷元素）的芯片。 5, 何谓N-type的wafer? 答：N-type的wafer是指掺杂negative dopant（5价电荷元素）的芯片。 6, 目前常用的芯片阻值? 答：P-type的芯片，阻值为8~12Ω。 7, 为何需要长start oxide? 答：不希望有机成分的光阻直接碰触Si表面。 8, 何谓Laser mark? 答：Laser mark是用来刻wafer ID。 9, 何谓wafer ID? 答：wafer ID就如同晶片上的身份证一样，一个ID代表一片晶片的身份。 10, 为何需要zero layer? 答：作为将来曝光机对准的标识，芯片的制程需要许多不同道题，非导体层，层与层相迭对就有了对准的为题，一般来说ASML曝光机需要有zero mark用来对准，而canon曝光机是把对准做在芯片曝光区内的，是不需要另外的zero mark的。 11, 为何需要把元件(device)越做越小呢？ 答：1，增加单位面积组件的密度。2，增加组件的电流速度。 12, 芯片制程里为何需要用SiO2? 答：1，SiO2是一种稳定的非导体，用来当介质(dielectric)。 2，SiO2可用于当绝缘层(isolation)。 3，SiO2可由高温的制程产生。 13, 那SiO2在芯片的制程中有何功用？ 答：1, for screen. 2, diffusion mask. 3, PAD OX. 4, SAC OX. 5, Gate OX. 6, Barrier layer. 14, 何谓screen oxide? 答：在芯片进入离子植入时，当成表面保护层，避免在离子植入中造成芯片伤害。 15, 何谓diffusion mask? 答：用于当绝缘层，来阻挡dopant的扩散。 16, 何谓dopant? 答：掺杂的物质。 17, 何谓PAD OX? 答：用于当垫层，当做SiN与Si的中间层，因为SiN的stress（应力）太大，会造成peeling（剥裂） 18, 何谓SAC oxide? 答：在芯片进行离子植入时，当成表面保护层，避免在离子植主中造成芯片伤害，SAC oxide也是一种子screen oxide，用于保护N-Well，P-WII的离子植入。 19, 何谓Cate oxide? 答：用来当组件的介电层，利用不同厚度的gate oxide，可对不同组件进行开关。 20, STI 是什么的缩写? 答：Shallow Trench Isolation 21, 为何需要STI? 答：当做