GD32与STM32之间的区别.docxVIP

一.硬件设计 以我们常用的 STM32与 gd32 单片机为例，做一下对比。 比较GD32E230C8（M0），GD32F103C8（M3），GD32F303CG（M4）， STM32F103C8（M3），STM32F303C8T6（M4）硬件管脚的 区别。 从上图中可以看出： GD32E230C8（M0）与STM32G030C8（M0）管脚不兼容； GD32F103C8（M3）与STM32F103C8（M3）管脚兼容； GD32F303CG（M4）与STM32F303C8T6（M4）管脚兼容。 GD32E230C8（M0），GD32F103C8（M3）,GD32F303CG（M4）有两个引脚（35脚和36脚）硬件电气不兼容，可以加电阻，用于切换，实现 PCB板兼容。 下表是GD32E230C8 单片机35和36管脚定义： 下表是GD32F103C8（M3）单片机35和36管脚定义： *可以看出这两个管脚不兼容，若想实现PCB管脚兼容，可以加电阻。 下图是GD32E230C8单片机原理图： 从上图可以看出，在35和36脚加了3个电阻，2个上拉电阻和1个下拉电阻。 当使用GD32E230C8T6单片机时，35脚和36脚默认是普通IO口，可以按照上图所示连接电阻。 当使用GD32F103C8单片机时，35脚和36脚是 电源口，此时可以把R6换成0欧姆的电阻，R7不 焊接，R8焊接0欧姆的电阻。 二.设计中的不同点 1.工作电压不同：STM32的工作电压在2.0~ 3.6V或1.65~3.6V，GD32F的工作电压在 2.6~3.6V，工作范围相对要窄。 电压范围不同：?GD32F： 2.6-3.6V STM32F： 2.0-3.6V（外部电压） GD32F： 1.2V（内核电压）STM32F： 1.8V（内核电压） GD32的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD32的 芯片在运行的时候运行功耗更低。 2.GD32F303/F103主频比STM32F103主频要高，GD32F10 系列主频： 108MHZ ， STM32F10 系列主频 ：72MHZ 。 3.启动时间：GD32 启动时间相同，由于 GD32 运行稍快，需要延长上电时间 ，配置(2ms) 。 4.GD32提高了相同工作 频率下的代码执行速度，所以GD32的_NOP()时间比STM32更加短，所以不使用定时器做延时时要注意修改。 5.GD32的flash擦除时间要比STM32更长。 Flash 擦除时间： GD32 是 60ms/page，STM32 30ms/page 6.功耗上GD32的静态功耗要相对高一点 功耗区别(以128k以下容量的作为参考) a： 睡眠模式 Sleep：GD32F： 12.4mA STM32F10X： 7.5mA b：深度睡眠模式 Deep Sleep： GD32F： 1.4mA STM32F10X： 24uA c：待机模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA d：运行功耗： GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M 7.GD32的BOOT0必须接10K下拉或接GND，ST可悬空。 BOOT0 管脚： Flash 程序运行时，BOOT0 在 STM32 上可悬空，GD32 必须外部下拉（从 Flash 运行，BOOT0 必须下拉地）。 8.RC复位 电路必须要有，否则MCU可能不能正常工作，STM32有时候可以不要。 9.GD32的SWD 接口驱动能力比STM32弱，可以有如下几种方式解决： a：线尽可能短一些； b：降低SWD通讯速率； c: SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉。 10.GD32对时序要求严格，配置外设需要先打开 时钟，否则可能导致外设无法配置成功；STM32的可以先配置再开时钟。 11.修改外部 晶振起振超时时间，不用外部晶振可跳过这步。 原因：GD32与STM32的启动时间存在差异，为了让GD32 MCU更准确复位（不修改可能无法复位）。 12.串口 通信不同点： GD32在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有。 GD32的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。 13.ADC不同点： GD32的输入阻抗和采样时间的设置和STM32有一定差异，相同配置GD32采样的输入阻抗相对来说要小。 14.FSMC不同点： STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC