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本发明涉及一种晶体管器件,具体涉及一种具有额外电极的折叠硅LIGBT及其制作方法。解决了现有横向绝缘栅双极型晶体管中延伸的栅电极末端容易产生强电场峰,限制了器件击穿电压的提升的技术问题。本发明的折叠硅LIGBT器件包括:P型衬底;栅氧化层和场氧化层;P型阱区,及P型阱区内的P型发射极区和N型发射极区;设置在P型衬底内的N型漂移区;N型漂移区内掺杂形成的N型缓冲层区和P型集电极区;设置在N型发射极区和P型发射极区上方的发射极电极;设置在P型集电极区上方的集电极;设置在栅氧化层和场氧化层交界处上方的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114784101 A
(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202210353013.1
(22)申请日 2022.03.31
(71)申请人 西安电子科技大学
地址 71007
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