GaN HEMT射频器件陷阱效应测试方法.pdfVIP

ICS 31.080 CCS L 40 13 河 北 省 地 方 标 准 DB 13/T 5695—2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法 2023 - 05 - 06 发布 2023 - 06 - 06 实施 河北省市场监督管理局 发 布 目 次 前言II 引言III 1 范围1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义1 4 测试原理2 5 测试环境2 6 测试系统2 7 测试步骤3 8 试验数据处理 4 9 试验报告4 参考文献6 前 言 本文件按照GB/T 1.1—2020 《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本文件由石家庄市市场监督管理局提出。 本文件起草单位：河北博威集成电路有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、气派科 技股份有限公司。 本文件主要起草人：卢啸、张博、郭跃伟、闫志峰、郝永利、段磊、王静辉、王鹏、付兴中、 陈勇。 本文件为首次发布。 引 言 GaN HEMT射频器件由于表面效应、缺陷及杂质等影响，使GaN HEMT中广泛存在的表面陷阱电荷 及体陷阱电荷，俘获电子形成虚栅，对沟道二维电子气（2DEG）、电子迁移率产生影响引起电流退 化，进而引起器件电流及功率性能恶化。此现象即为陷阱效应，且普遍存在于GaN HEMT射频器件中。 陷阱效应对器件的性能及可靠性存在重大影响，在民用通信领域，由于栅压脉冲供电条件下的陷阱 效应现象更为明显，导致器件及整机的线性差、效率低、耗能提升、失效率提升等问题，影响运营 商的电力成本及用户通信的清晰度及连贯度。因此在选用GaN HEMT射频器件时宜评估器件的陷阱效 应特性，达到控制器件及整机系统稳定性的目的。特制订本文件。 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法 1 范围 本文件规定了GaN HEMT射频器件陷阱效应的测试原理、测试环境、测试系统、测试步骤、试验 数据处理。 本文件适用于GaN HEMT射频器件陷阱效应评估，GaN HEMT射频芯片、模块和晶圆级封装产品可 参照使用。 2 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件。 3 术语和定义 GB/T 4586-1994界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 漏源电压 drain source voltage VDS 施加于被测器件或测试装置漏极与源极之间的电压。 [来源：GB/T 4586-1994，4.3 （有修改）] 栅源电压 gate source voltage VGS 施加于被测器件或测试装置栅极与源极之间的电压。 [来源：GB/T 4586-1994，4.3 （有修改）] 漏极电流 drain current ID 被测器件的漏极电流。 [来源：GB/T 4586-1994，4.3 （有修改）] 关断栅源电压 cutoff gate voltage Voff 使被测器件处于关断状态时施加于栅极的电压。 静态栅源电压 gate quiescent voltage Vgq 使被测器件处于正常开启工作状态时施加于栅极的电压。 脉内波顶漏极电流 drain source current in the pulse wave top ID1 时隙切换测试中，栅源电压由关断栅源电压切换至静态栅源电压瞬