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本申请提供一种光电存储器件及其制备方法、以及数据存储方法，属于半导体存储器件领域。光电存储器件包括：衬底、源/漏电极、沟道层、绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅电极，绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅电极依次设置；其中，浮栅层与绝缘介质层之间和浮栅层与光敏介质层之间均形成势垒，光敏介质层在暗态下为绝缘体属性，光敏介质层在带隙匹配的光辐照下为半导体属性。数据存储方法采用该光电存储器件进行，具有较低的操作电压要求，能较好适应不同的应用场合，且能较好地实现多值存储。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116666486 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202210149829.2
(22)申请日 2022.02.18
(71)申请人 松山湖材料实验室
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