80H11D N通道沟槽电源MOSFET深圳恒锐丰科技.pdf

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80H11D(文件编号：SCIC1707)N-ChannelTrenchPowerMOSFET

FeaturesApplication

VDS80V;ID110A@VGS10V;64VE-BikeControllerApplications

RDS(ON)6.8mΩ@VGS10VHardSwitchedandHighFrequencyCircuits

SpecialDesignedforE-BikeControllerApplicationUninterruptiblePowerSupply

UltraLowOn-Resistance

HighUISandUIS100%Test

Package

80H11D

MarkingandpinassignmentTO-263topviewSchematicdiagram

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

80H11D80H11DTO-263---

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA25)

℃

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V)80V

VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±20V

ID(DC)DrainCurrent(DC)atTc25℃110A

ID(DC)DrainCurrent(DC)atTc100℃80A

(Note1)

IDM(pluse)DrainCurrent-Continuous@Current-Pulsed450A

dv/dtPeakDiodeRecoveryVoltage

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS管，方案配套

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