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GB/TXXXXX—XXXX/IEC62373-1:2020
半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温
度不稳定性试验第1部分:MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验
1范围
本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的快速偏置温度不稳定性(BTI)
测试的试验方法。
本文件还定义了与常规BTI测试方法有关的术语。
2规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
标准电源电压nominalpowersupplyvoltage
VDD
工艺指定的合适的工作电压。
漏极-源极电压drain-sourcevoltage
VDS
漏极和源极之间的电压。
极栅-源极电压gate-sourcevoltage
VGS
栅极和源极之间的电压。
阱极-源极电压well-sourcevoltage
VBS
衬底和源极之间的电压。
漏极电流draincurrent
1
GB/TXXXXX—XXXX/IEC62373-1:2020
ID
V等于0时流过漏极的电流。
BS
恒定电流阈值电压constantcurrentthresholdvoltage
Vth-ci
漏极电流等于指定I处的V值。
DGS
注1:V的定义可以用下面的公式来表示:
th-ci
W········································
VV
when
II(1)
thciGSDD0
L
式中:
V——恒定电流阈值电压
th-ci
I——漏极电流(任意值)D
I——恒定漏极电流,建议选取合适值使得VV(典型值为50nA到300nA之间)
D0GSth-ext
W——沟道宽度
L——沟道长度
注2:如果V比V大,有可能是因为迁移率的退化影响了V,如果VV相等,界面态密度对V漂移的影响
GSth-extth-ciGS与th-extth
可能无法被监测到。
外推的阈值电压extrapolatedthresholdvoltage
Vth-ext
当漏源电压处于线性区或者等于推荐工作条件的典型值时,从I-V曲线的最大斜率处的点开始,
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