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《半导体器件物理》试卷〔一〕一、填空〔共32分,每空2分〕
1、PN结电容可分为 和 两种,它们之间的主要区分 。
2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响,具体地,对于短沟道器件对
VT的影响为 ,对于窄沟道器件对VT的影响为 。
3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受 电压掌握,其基极电流IB受 电压掌握。
4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备,该类器件显著的优点是 。
5、PN结击穿的机制主要有 等几种,其中发生雪崩击穿的条件为 。
6、当MOSFET进入饱和区之后,漏电流发生不饱和现象,其中主要的缘由有 , 和 。
二
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