（正式版）-B-T 43063-2023 集成电路 CMOS图像传感器测试方法.docxVIP

ICS31.200

CCSL55

中华人民共和国国家标准GB/T43063—2023

集成电路CMOS图像传感器测试方法

Integratedcircuit—TestmethodforCMOSimagesensors

2023-09-07发布

2024-01-01实施

国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

发布

I

GB/T43063—2023

目次

前言 Ⅲ

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4测试参数名称及符号 1

5一般要求 2

5.1测试环境 2

5.2测试系统 2

5.3规定条件 3

5.4静电防护要求 3

6测试方法 4

6.1转换增益K 4

6.2暗信号Sp 7

6.3暗信号非均匀性(固定图形噪声)FPN 8

6.4读出噪声Nm 9

6.5响应非线性Lim 10

6.6满阱电荷数Ns 11

6.7动态范围DR 12

6.8信噪比S/N 13

6.9光响应非均匀性PRNU 13

6.10灵敏度R 15

6.11缺陷像元 16

6.12电荷滞留NRE 17

6.13抗弥散性 18

6.14量子效率η 19

6.15光谱响应度R 22

6.16峰值响应波长λp 23

6.17光谱响应范围 23

6.18调制传递函数(奈奎斯特频率)MTF 24

6.19动态调制传递函数(奈奎斯特频率)MTF、 26

6.20角度响应曲线 28

Ⅲ

GB/T43063—2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口。

本文件主要起草单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、重庆光电技术研究所、天津大

学、长春精测光电技术有限公司、中国电子技术标准化研究院、深圳佑驾创新科技有限公司。

本文件主要起草人：李俊霖、张涛、兰太吉、杨永强、赵宇、聂真威、韩冰、金辉、马洪涛、卢岩、徐江涛、

刘昌举、唐延甫、聂凯明、李金、高志远、马悦、刘国清、王琪、刘秀娟。

1

GB/T43063—2023

集成电路CMOS图像传感器测试方法

1范围

本文件描述了具有线性光电响应特性的线阵、面阵和时间延迟积分(TDI)CMOS图像传感器(以下

简称器件)参数及其测试方法。

本文件适用于具有线性光电响应特性的线阵、面阵和TDI器件参数测试。

2规范性引用文件

本文件无规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

暗场darkfield

器件所处的无光照测试环境。

3.2

亮场lightfield

器件所处的有光照测试环境。

3.3

有效像元effectivepixel

成像像元阵列中，没有被不透光材料覆盖并参与最终成像显示的像元。

3.4

均值图像meanimage

在输入均匀辐照度、积分时间、器件参数均固定的条件下，对器件输出的F帧图像以像元为单位求

均值，最后以所有有效像元F帧图像的均值组成的图像。

3.5

暗信号校正darksignalcorrection

在相同积分时间、器件参数条件下，器件在亮场获取的均值图像与暗场获取的均值图像做差的

操作。

4测试参数名称及符号

测试参数名称及符号见表1。

2

GB/T43063—2023

表1测试参数名称及符号

名称

符号

单位

转换增益

K

DN/e

暗信号

Sp

e~/s

暗信号非均匀性

(固定图像噪声)

FPN

读出噪声

Nm

e

响应非线性

Llim

——

满阱电荷数

Ns

e

动态范围

Dk

dB

信噪比

S/N

dB

光响应非均匀性

PRNU

灵敏度

R

e~/(lx·s)

缺陷像元

电荷滞留

NRE

e

抗弥散性

—

——

量子效率

7

——

光谱响应度

R?

DN/J/m2

峰值响应波长

λp

nm

光谱响应范围

—