华大九天企业命题专项奖设置.doc

华大九天企业命题专项奖设置:

华大九天企业命题专项奖专门用于奖励选择华大九天企业命题的获奖赛队。华大九天企业命题专项奖是初赛奖，参赛赛队可同时参加大赛执行委员会组织的其他大赛奖项的评审和获奖。

?

华大九天企业命题专项奖设：

一等奖3队，每队奖金1万元

二等奖6队，每队奖金0.5万元

赛题一：直流器件建模

描述及要求

工艺、器件不限，包括但不限于硅基MOSFET、FinFET、SOIMOSFET、GaNHEMT、SiC等，但需标明具体工艺和器件。

需给出器件的基本结构，依照器件结构/工艺对器件特性进行分析。

需要包含相关的工艺、器件的基本效应，并对这些基本效应给出相应的测试方法（来源于实测数据）或仿真条件（来源于TCAD仿真）。以Si基MOSFET为例，除常规IV、CV特性外，至少需要LOD、WPE、OSE等效应。

测试数据来源不限，可来自于实测数据或TCAD仿真，但需标明。

针对上述的工作机理和器件特性给出模型的拓扑结构，基于测试数据，使用EmpyreanXModel?建立相应的模型，同时介绍模型参数的提取流程。

除上述提到的基本特性要求外，可以额外针对特殊效应（如高压特性、先进工艺下更多的二级效应）进行研究作为加分项。特殊效应需要给出效应的机理、测试/仿真方法、建模方法。

提供模型文件

模型精度越高，得分越高。

得分

分析器件基本结构、性能分析（20分）

能够根据器件特性，提出明确的测试或仿真方案。（20分）

给出模型的拓扑结构，提出模型提取流程（20分）

给出模型与数据对比结构，总结当前模型的优缺点，展望模型未来可提升的方向(20分)

特殊测试方法、器件效应、建模方法作为额外的加分项（20分）

赛题二：射频器件建模

描述及要求

工艺、器件不限，包括但不限于硅基MOSFET、FinFET、SOIMOSFET、GaNHEMT、GaAs/InPHBTHEMT等，但需标明具体工艺和器件。

需给出器件的基本结构，依照器件结构/工艺对器件直流特性、射频寄生效应等进行分析。

需要包含相关的工艺、器件的基本效应，并对这些基本效应给出相应的测试方法（来源于实测数据）。以GaN器件为例除常规IV特性、小信号S参数外，至少需要自热效应、陷阱效应等效应。

针对上述的工作机理和寄生特性给出模型的拓扑结构，基于测试数据，使用EmpyreanXModel?建立相应的模型，同时介绍模型参数和寄生参数的提取流程。

除上述提到的基本特性要求外，可以额外针对特殊效应（热噪声参数特性、高频特性110/220GHz以上、loadpull特性/大信号建模）进行研究作为加分项。特殊效应需要给出效应的机理、测试/仿真方法、建模方法。

提供modelcard

模型精度越高，得分越高。

得分

分析器件基本结构、性能、寄生特性（20分）

能够根据器件特性，提出明确的测试方案。（20分）

给出模型的拓扑结构，寄生效应，提出模型提取流程（20分）

给出模型与数据对比结构，总结当前模型的优缺点，展望模型未来可提升的方向(20分)

特殊测试方法、器件效应、建模方法作为额外的加分项（20分）

注：EmpyreanXModel?介绍

EmpyreanXModel?是华大九天的器件模型提取工具，支持硅基金属氧化物器件、硅基高压器件、分立器件和新型第三代半导体等不同类型的器件模型提取。

请有意向使用EmpyreanXModel?的同学填写附件1并发送至

univ@，我们将为您提供使用软件的账号及相关使用说明。

附件1-EmpyreanXModel使用申请表-打开链接下载

/sysFile/downFile.do?fileId=65e9d49ff7b24f5ea7e082

赛题三：全差分放大器的设计

题目：采用华大九天模拟电路设计全流程EDA工具系统及其自带的openPDK，设计一款全差分放大器电路，完成全部电路图设计和仿真的过程。可参考以下架构：

Ib10uVcm

Ib10uVcm

OTA

OTA

BiasCMFBcircuit

BiasCMFB

circuit

VipVin

Vip

Vin

Vop

Von

OTACore

OTACore

工作条件：

采用给定openPDK工艺，需要采用PDK库中提供的器件完成设计；输入偏置电流10uA，偏置电压Vcm可自定；

以下指标工作于电源电压1.6~2.0V（Nominal1.8V），温度-20~80℃（Nominal27℃），工艺corner包括SS/TT/FF；

要求技术指标（均考虑所有PVTcorner组合中的最差前仿真值）：

放大器开环DC增益Av0≥70dB，-3dB带宽BW0≥2MHz，开环相位裕度PhaseMargin≥45°，给