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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN1598049A
(43)申请公布日2005.03.23
(21)申请号C1
(22)申请日2003.09.18
(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址201203上海市浦东新区张江路18号
(72)发明人汪钉崇
(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人陈红
(51)Int.CI
C23C16/505
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
等离子体增强式化学气相沉积处理
方法
(57)摘要
一种等离子体增强式化学气相沉积
处理方法,用于在半导体晶片表面上沉积
薄膜,包括:稳定化步骤,即向反应炉中
通入前驱气体;沉积步骤,即向反应炉中
输入射频能,继续通入前驱气体,同时通
入反应气体;钝化步骤,即停止通入反应
气体,但继续输入射频能;以及抽气步
骤,即关闭射频能,停止通入前驱气体,
用抽气泵抽出反应炉中的剩余气体;其
中,在上述钝化步骤中:射频能与所述沉
积步骤的射频能相同或更低;钝化步骤中
继续通入前驱气体并持续3-15秒钟;由
于本发明增加了钝化步骤,使得晶片薄膜
表面上未反应完全的Si键继续反应直至结
束,因此能够消除不完全表面反应和悬挂
键,从而避免了上覆薄膜中凸块的形成,
进而能够消除由此引起的缺陷,提高了产
品的合格率。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法,用于在半导体晶片表面上沉积薄膜,
其特征是:包括如下步骤:
稳定化步骤,即向反应炉中通入前驱气体;
沉积步骤,即向反应炉中输入射频能,继续通入前驱气体,同时通入反应气体;
钝化步骤,即停止通入反应气体,但继续输入射频能;以及
抽气步骤,即关闭射频能,停止通入前驱气体,用抽气泵抽出反应炉中的剩余气体。
2.如权利要求1所述的处理方法,其特征是:所述钝化步骤的射频能与所述沉积步
骤的射频能相同或更低。
3.如权利要求1所述的处理方法,其特征是:所述钝化步骤的射频能为5到1000
瓦。
4.如权利要求1所述的处理方法,其特征是:所述钝化步骤的钝化时间为2到100
秒。
5.如权利要求1所述的处理方法,其特征是:所述钝化步骤中继续通入前驱气体并
持续3-15秒钟。
6.如权利要求5所述的处理方法,其特征是:所述前驱气体的通入速度为原流速或
1-2000sccm。
7.如权利要求1所述的处理方法,其特征是:所述半导体晶片的表面为硅、或铜、
或SiOsub2/sub、或氟掺杂SiOsub2/sub、或碳掺杂SiOsub2/sub、或
以上材料的混合物。
8.如权利要求1所述的处理方法,其特征是:所述前驱气体是NHsub3/sub、
Nsub2/subO和Nsub2/sub的混合气体。
9.如权利要求1所述的处理方法,其特征是:所述反应气体是SiHsub4/sub、
三甲基硅烷、四甲基硅烷。
说明书
u技术领域/u
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种等离子体增强式化学气相沉积
(PECVD)处理方法。
u背景技术/u
在半导体制造工艺中,为制作分立器件与集成电路,需要在晶片的衬底上沉积不同
种类的薄膜。在沉积薄膜的方法中,等离子体增强式化学气相沉积(PECVD,
PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)是一种常用的方法。该方法是利用能量
增强CVD反应,除了一般CVD系统的热能外,另加等离子体能量。
图1给出了PECVD方法的常用装置的示意图,该PECVD装置为一个PECVD反
应炉。如图1所示,反应炉
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