电工电子学试卷.docx

《电工电子学》专升本试题

一、单项选择题（每题3分，共45分）

1．N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ ）。

(a) 带负电 (b) 带正电 (c) 不带电

电路如 图所示，二极管为理想元件，u=6sin?tV，U=3V，当?t=? 瞬

间，输出电压u 等于（ ）。

O

0V (b) 6V

D

i 2

(c) 3V

++

+

+

u

R

i

+

-

U

-

-

O

测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为

0V、?0.7V和?4.7V，则该管为（ ）。

(a) NPN

型锗管

(b)

PNP

型锗

管

(c)

NPN

型硅

管

(d) PNP

型硅管

电路如图所示，其电压放大倍数等于 ( )。

(a)1 (b)2 (c) 零

-

-

∞

uO

u

＋

i

＋

逻辑电路如图所示，当A=“0”，R

D

=S=“1”，R=“1”时，C脉冲来到后RS触发器( )。

D

A.置“0” B.置“1”

C.保持原状态

全加器的逻辑符号如图所示，当Ai?“0”，Bi?“0”，Ci－1?“0”时，Ci和Si分别为( )。

R1-R2∞

R

1

-

R

2

∞

＋

u

O

＋

+

u

—R

S

i

S

?0

?0

u

i

i i

C ?0

i

Ci?1 Si?1

如图电路，运放的饱和电压为?U

零 (b)+u

O(sat)

，当UU

i R

(c) -u

时，U

O

等于( )。

O(sat) O(sat)

整流电路如图所示， 变压器副边电压有效值为U所承受 的最高反向电压是（ ）。

， 二极管D

2

U

2

2U

2

2 2U

2

Di

D

i

O

+

u2

-

R

L

～AFB+

～

A

F

B

u

O

- B

t

1

图1 图2

逻辑图和输入A、B的波形如图所示， 试分析在t

1

瞬间输出F

为( B )。

(a) “1” (b)“0” (c) 不定

在正逻辑条件下，如图所示逻辑电路为( )。

(a)“与非”门

(c)“或”门

(b)“与”门

(d)“或非”门

?

?UCC

R

F

A

A

=1

1

F

B

B

t1

t

t

2

3

A

B

C

逻辑图和输入A，B的波 形如图所示，分析当输出F为“1”的时刻应是( )。

(a) t1 (b) t2 (c) t3

逻辑电路如图所示，分析C的波形，当初始状态为“0”时，输出Q是“1”的瞬间为（）。

(a) t1 (b) t2 (c) t3

QCQ

Q

C

Q

t t t

1 2 3

计数器如图所示，原状态为“11”，送一个C脉冲后的新状态为

（ ）。

(a)“10” (b)“00” (c)“01”

Q

Q Q

1 0

Q

D

0

0

1

1

Q K

1 1

Q

1

0

C

14、型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。

(a) 1V (b) 0.2V (c) 0.6V

15、稳压管反向击穿后，其后果为（）。

(a) 永久性损坏联单 (b) 由于击穿而导致性能下降

(c) 只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损

二、填空题（每空1分，共10分）

写出下列公式：A?A= ； A?0= 。

功能为相同出0、相异出1的门电路称为__ _门，功能为全1出0、有0出1的门电路称为__ _门。

理想运放的开环电压放大倍数为_ _，差模输入电阻为_ ，输出电阻为 ，共模抑制比为_ 。

按照逻辑功能的不同特点，常把数字电路分为 _和_ _两大类。

三、分析题（每题6分，共18分）

2、放大电路如图所示，要求：画出电路的直流通道，交流通道以及微变等效电路图;

RRCB1

R

R

C

B1

+

C

2

C

+

1

+

+

R

E1

u

R

B2

u

i o