光电子技术基础课后答案.pdf

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《光电子技术》参考答案

第三章

n

1.一纵向运用的KD*P电光调制器,长为2cm,折射率=2.5,工作频率为1000kHz。试求此

时光在晶体中的渡越时间及引起的相位延迟。

解:渡越时间为:

LnL2.522m1.6710s

10

cn108m

/310/

cs

d

在本题中光在晶体中的渡越引起的相位延迟量为:

210

md

Hz1.67101.0510

6103

对相位的影响在千分之一级别。1

*

3.为了降低电光调制器的半波电压,采用4块z切割的KD

P晶体连接(光路串联,电路并联)成

纵向串联式结构。试问:(1)为了使4块晶体的电光效应逐块叠加,各晶体x和y轴取向应如何?(2)若

1.51,12mV

23.610/,计算其半波电压,并与单块晶体调制器比较之.。

mn

0.628,

0

答:63

⑴用与x轴或y轴成45夹角(为45°-z切割)晶体,横向电光调制,沿z轴方向加电场,通

光方向垂直于z轴,形成(光路串联,电路并联)的纵向串联式结构。为消除双折射效应,采用“组合

调制器”的结构予以补偿,将两块尺寸、性能完全相同的晶体的光轴互成90串联排列,即一块晶

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