可编程晶体管阵列设计方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102820293A

(43)申请公布日2012.12.12

(21)申请号CN201210299773.5

(22)申请日2010.01.21

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹

(72)发明人罗明健吴国雄

(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人章社杲

(51)Int.CI

H01L27/02

H01L27/118

G06F17/50

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

可编程晶体管阵列设计方法

(57)摘要

本发明涉及一种设计集成电路的方

法，包括提供彼此相同的第一芯片和第二

芯片。第一芯片和第二芯片中的每一个都

包括基底层，基底层包括逻辑晶体管单元

(LTU)阵列。LTU阵列包括彼此相同并且

以行和列进行配置的LTU。该方法还包

括：连接第一芯片的基底层以形成第一应

用芯片；以及连接第二芯片的基底层以形

成不同于第一应用芯片的第二应用芯片。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种集成电路结构，包括：

芯片中的多个PMOS晶体管单元(PTU)；以及

所述芯片中的多个NMOS晶体管单元(NTU)，其中，所述多个PMOS

晶体管单元和所述多个NMOS晶体管单元中的每一个都包括：

有源区域，具有矩形形状；

偶数个栅电极，在所述有源区域上方；

两个虚拟栅极，在所述有源区域的相对侧上，在有源区域外侧并

直接位于绝缘区域之上，其中，所述栅电极和所述两个虚拟栅极彼此

平行；以及

接触插塞，连接至所述栅电极，其中，所述接触插塞不直接在所

述有源区域上方，

基本上芯片中的所有PMOS器件都具有与多个PMOS晶体管单元

中的任意一个相同的布局，以及其中，基本上芯片中的所有NMOS器

件都具有与多个NMOS晶体管单元中的任意一个相同的布局。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述芯片中的所有

PMOS器件都具有与所述多个PTU中的任意一个相同的布局，以及其中，

所述芯片中的所有NMOS器件都具有与所述多个NTU中的任意一个

相同的布局。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

多个虚拟晶体管单元(DTU)，其中，每个DTU都包括：

虚拟有源区域，具有矩形形状；以及

两个附加虚拟栅极，在所述虚拟有源区域的相对侧上，其中，所

述两个附加虚拟栅极彼此平行，以及其中，没有栅电极直接在所述虚

拟有源区域上方。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述多个PTU中的

PTU都没有被定位为与NTU相邻并且所述PTU的通道长度方向与所述

NTU的通道长度方向对准。

5.一种集成电路结构，包括：

芯片，包括基底层，所述基底层包括：

多个PMOS晶体管单元(PTU)；和

多个NMOS晶体管单元(NTU)；

第一金属层，在所述基底层上方；以及

第二金属层，在所述第一金属层上方，其中，所述多个PTU和所述多

个NTU通过所述第一金属层连接成逻辑晶体管单元(LTU)。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述第一金属层或第

二金属层还将所述LTU连接成复杂功能单元。

7.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述LTU选自基本

由反相器(INV)、NAND门、NOR门、多路复用器和它们的组合所组成

的组。

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