半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法 征求意见稿.pdf

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62951-9:2022

半导体器件柔性可拉伸半导体器件第9部分:一晶体管一电阻式

（1T1R）电阻存储单元性能测试方法

1范围

本文件描述了单极型一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元的性能测试方法，包括读、电预处理、

置位、复位、耐久性和保持性。适用于消费级、工业级、军用级以及其他电子应用领域的柔性和刚性电

阻存储器，不受器件的工艺和尺寸限制。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

编程晶体管programmingtransistor

用于放大、限制或改变电信号和电功率的半导体器件。

3.2

源极电压sourcevoltage

S

施加在编程晶体管源极的偏压。

3.3

栅极电压gatevoltage

G

施加在编程晶体管栅极的偏压。

3.4

漏极电压drainvoltage

D

施加在编程晶体管漏极的偏压。

3.5

电阻存储器resistivememory

基于有源层内导电细丝的可逆形成与可逆断裂，分别定义其低阻态与高阻态的双端器件。

3.6

电预处理电压formingvoltage

Form

用于在有源层内部形成初始导电细丝或导电通路的、施加在有源层两端的高电压。

1

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62951-9:2022

3.7

低阻态电阻resistanceoflowresistancestate

LRS

存储器件在置位状态时的电阻值。

3.8

高阻态电阻resistanceofhighresistancestate

HRS

存储器件在复位状态时的电阻值。

3.9

跳变点电阻trippointresistance

TRP

位于高阻态电阻和低阻态电阻之间的参考电阻值。

HRSTRPLRS

3.10

阶跃电压stepvoltage

Step

施加在电阻存储器两端的电压逐渐变化时的电压间隔。

3.11

读电压readvoltage

Read

测量电阻存储器电阻值（）的特定电压。

R

3.12

读电流readcurrent

Read

用于测量电阻存储器阻值（）的，施加读电压（）时的特定电流。

RRead

3.13

电阻存储器的电阻resistanceofresistivememory

R

施加读电压Read得到的电阻值，使用以下公式对其进行定义：

Read

=

R

Read

3.14

置位电压SETvoltage

SET

在电预处理过程后，将电阻存储器转换为低阻态（LRS）所需的电压。

3.15

复位电压RESETvoltage