电子行业深度报告：先进封装大势所趋，国产供应链机遇大于挑战.pdf

行业研究/行业深度分析

目录

1.先进封装提升芯片性能，Bump、RDL、TSV等技术赋能AP5

1.1封装是半导体后道制程，主要起芯片保护、连接作用5

1.2Bump、RDL、TSV、混合键合技术赋能先进封装6

1.3WLP、2.5D、3D是当前主流的几种先进封装11

2.先进封装大势所趋，2028年全球市场规模有望785.5亿美元13

2.1摩尔定律面临瓶颈，先进封装大势所趋13

2.22028年全球市场规模有望785.5亿美元，通信基础设施领域增长最快15

2.3算力时代，先进封装有望迎来加速发展16

3.产业链梳理17

3.1封装环节：Foundry与OSAT各有侧重，内资厂商积极布局先进封装17

3.2设备环节：国产设备持续突破，进口替代进程加速19

3.3材料环节：关键材料性能要求升级，高端品类国产化空间巨大23

4.投资建议与风险提示31

4.1投资建议31

4.2风险提示31

图表目录

图1：半导体产业链分设计、制造、封装和测试5

图2：半导体封装的四大作用5

图3：先进封装拥有更高的内存带宽、能耗比7

图4：Bump、RDL、TSV是实现先进封装关键技术7

图5：应用于CoWoS、InFo等先进封装中的Bump7

图6：当前，先进封装凸块间距已经到20-10μm7

图7：RDL起着XY平面电气延伸和互联的作用8

图8：RDL转接层在CoWoS-R中的应用8

图9：TSV应用于2.5D/3D封装9

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行业研究/行业深度分析

图10：贯穿芯片体的3DTSV的立体示意图9

图11：传统bump键合VS铜对铜直接连接10

图12：混合键合没有凸块，直接铜对铜键合10

图13：不同键合方式连接密度10

图14：混合键合可以提供更高的互连密度10

图15：扇入式（a）和扇出式（b）WLP对比11

图16：扇入式（a）和扇出式（b）WLP对比11

图17：2.5D的CoWoS封装12

图18：2.5D的EMIB封装12

图19：海力士HBM内存堆叠采用3D封装技术12

图20：芯片上集成的晶体管数量一直在快速增长13

图21：半导体制造工艺持续升级13

图22：摩尔定律面临放缓14

图23：5nm制程的芯片设计成本超过5亿美元14

图24：先进封装是超越摩尔定律的关键14

图25：台积电CoWoS-L技术14

图26：全球先进封装市场规模，亿美元15

图27：2028年先进封装预计占封装市场54.8%15

图28：先进封装市场格局集中16

图29：2022-2028年，下游通信领域复合增速最高16

图30：2023年大预言模型开始爆发16

图31：全球AI服务器出货量预计，万台16

图32：采用CoWoS封装的英伟达A10017

图33：英伟达A100CoWoS封装切面图17

图34：先进封装市场格局集中18

图35：OSAT与IDM、晶圆代工厂技术布局有差异18

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