光纤预制棒的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102225843A

(43)申请公布日2011.10.26

(21)申请号CN201110123043.5

(22)申请日2011.05.13

(71)申请人烽火通信科技股份有限公司

地址430074湖北省武汉市东湖开发区关东科技园东信路5号

(72)发明人陈伟李诗愈莫琦罗文勇柯一礼黄文俊胡福明

(74)专利代理机构北京捷诚信通专利事务所(普通合伙)

代理人魏殿绅

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

光纤预制棒的制造方法

(57)摘要

一种光纤预制棒的制造方法，包

括：(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备

光纤芯棒；(2)采用等离子化学气相沉积

PCVD工艺制备掺氟下陷包层，与(1)中制

备的光纤芯棒熔缩成光纤芯棒预制件；(3)

采用外部气相沉积OVD工艺制备光纤芯棒

预制件的外包层，最终烧结成透明的光纤

预制棒；所述光纤芯棒包含包层，光纤芯

棒的包层直径与光纤芯棒的芯直径二者比

值在3.2～4.6之间；所述掺氟下陷包层起

始位置的直径与所述芯直径的比值在3.2～

4.6之间，所述掺氟下陷包层的宽度与芯直

径的比值在0.24～0.49之间。本方法解决

了单模光纤高效规模化生产的关键技术，

大幅度提高弯曲不敏感单模光纤预制棒的

制造效率，降低生产成本。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种光纤预制棒的制造方法，该方法包括以下步骤：

(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒；

(2)采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层，与(1)中制备的光纤芯

棒熔缩成光纤芯棒预制件；

(3)采用外部气相沉积OVD工艺制备光纤芯棒预制件的外包层，最终烧结成透明的

光纤预制棒；

其特征在于：所述光纤芯棒包含包层，光纤芯棒的包层直径与光纤芯棒的芯直径二

者比值在3.2～4.6之间；所述掺氟下陷包层起始位置的直径与所述芯直径的比值在

3.2～4.6之间，所述掺氟下陷包层的宽度与芯直径的比值在0.24～0.49之间。

2.如权利要求1所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于，步骤(1)中采用VAD

工艺制备光纤芯棒，具体包括以下步骤：将直径为70～80mm的靶棒安置在VAD

沉积车床上，通入四氯化硅、四氯化锗和高纯氧气的混合气体，在氢氧焰高温下生

成掺锗的石英玻璃芯层和部分包层，VAD工艺的加工参数为：混合气体的总流量

为19000～21000ml/min，光纤芯棒的沉积速率为20～25g/min，形成光纤芯棒，芯

层部分与纯石英玻璃的相对折射率差为0.35％～0.39％。

3.如权利要求2所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于，VAD工艺的加工参

数为：混合气体的总流量为20000ml/min，光纤芯棒的沉积速率为22g/min，形成

光纤芯棒，其包层直径与芯直径的比值为4.2，芯层部分与纯石英玻璃的相对折射

率差为0.37％。

4.如权利要求2所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于，步骤(2)中采用PCVD

工艺制备掺氟下陷包层，具体包括以下步骤：将外直径为70mm、内直径为65mm

的纯石英玻璃基管，安置在PCVD沉积车床上，通入四氯化硅、

Csub2/subFsub6/sub和高纯氧气的混合气体，PCVD工艺的加工参数为：

混合气体的总流量为10000～12000ml/min，在15.2～18.5kW微波的作用下，在石

英基管的内部沉积掺氟下陷包层，石英管内压力为16～18mbar，沉积速率为8.6～

10.6g/min，掺氟下陷包层与纯石英玻璃基管的相对折射率差为-0.4％～-0.6％之间。

5.如权利要求4所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于，PCVD工艺的加工参

数为：混合气体