《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》（TIAWBS 021-2024）.pdfVIP

ICS29.045

H80/84

团体标准

T/IAWBS021-2024

碳化硅晶片边缘轮廓检测方法

Testmethodsforedgecontourofsilicon

carbidewafers

2024-05-17发布2024-05-24实施

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布

T/IAWBS021—2024

目次

前  言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4方法提要1

5干扰因素1

6仪器设备2

7试样2

8测试程序2

9精密度3

10测试报告3

I

T/IAWBS021—2024

前  言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规

则》的规定起草。

请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的

责任。

本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟标委会归口。

本文件起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体有限公

司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、山东有研半导体材料有限公司

本文件主要起草人：佘宗静、彭同华、王大军、刘祎晨、王波、赵宁、张平、杨建、

郑红军、蔡丽艳

本文件为首次制定。

II

T/IAWBS021—2024

碳化硅晶片边缘轮廓检测方法

1范围

本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检测方法。

本文件适用于检测倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检测可参照

本文件执行。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文

件。

GB/T14264半导体材料术语

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4方法提要

将碳化硅晶片放置在LED光源下，光源照在碳化硅晶片边缘，CCD相机将碳化硅晶片边缘（不包括参

考面）或切口轮廓形状的图像导入电脑，进行二值化（即将图像上的像素点的灰度值设置为0或255，将整

个图像呈现出明显的黑白效果的过程）处理后，通过曲率及直线切点计算得出边缘轮廓长度，测试原理如

图1所示。

电脑显示（包含图像处理软件）

电脑显示（包含图像处理软