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ZnO半导体材料及器件
【摘要】在过去的十多年时间里里,ZnO作为半导体具有独特的性质而倍受瞩目和广泛争论。例如，ZnO具有较高的电子迁移率，是直接带隙半导体，具有较宽的禁带宽度和较大的激子束缚能。在光电器件的应用上，ZnO已经被认为是一种很有潜力的材料，而制造高质量的p型ZnO是实现其应用的关键。由本征缺陷或者氢杂质引起的较强的自补偿效应使得通过掺杂来制得p型ZnO半导体格外困难。尽管如此，通过争论者们的努力，在制备高质量的p型ZnO半导体和基于ZnO的器件上已经取得了很大的进步。
【关键词】p型ZnO；ZnO器件
1997年D.M.
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