一种栅控二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101826523A

(43)申请公布日2010.09.08

(21)申请号CN201019087049.4

(22)申请日2010.04.14

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

(72)发明人蒋苓利樊航张波乔明林丽娟喻钊钟昌贤

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心

代理人葛启函

(51)Int.CI

H01L27/07

H01L29/06

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种栅控二极管触发的可控硅整流

式静电释放保护电路结构

(57)摘要

一种栅控二极管触发的可控硅整流

式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属

于电子技术领域。本发明通过集成一个击

穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR

ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱

结的击穿电压转变为栅控N

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种栅控二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构，包括：位于半导体

衬底基片(1)上的两种导电类型的阱区：第一导电类型阱区(2)和第二导电类型阱区

(3)；位于第一个第一导电类型阱区(2)内的两个重掺杂区：第一导电类型重掺杂区

(12)和第二导电类型重掺杂区(11)；位于第二导电类型阱区(3)内的两个重掺杂区：

第一导电类型重掺杂区(9)和第二导电类型重掺杂区(8)；与第一个第一导电类型阱

区(2)内的两个重掺杂区表面接触的第一电极；与第二导电类型阱区(3)内的两个重

掺杂区表面接触的第二电极；

其特征在于：

该保护电路结构还包括第二个第一导电类型阱区(4)，所述第二个第一导电类型阱

区(4)与第一个第一导电类型阱区(2)相连并将第二导电类型阱区(3)包围在中间，且

第二导电类型阱区(3)内的第二导电类型重掺杂区(8)的一部分位于第二导电类型阱

区(3)内，另一部分位于第二个第一导电类型阱区(4)内；

在第一个第一导电类型阱区(2)内还具有一个和与第一电极相连的两个重掺杂区不

相连的第一导电类型重掺杂区(10)，同时在第二个第一导电类型阱区(4)内还具有一

个与第二导电类型阱区(3)内的第二导电类型重掺杂区(8)不相连的第一导电类型重

掺杂区(5)，该两个第一导电类型重掺杂区(10和5)通过金属导线互连；

第二个第一导电类型阱区(4)内的第二导电类型重掺杂区(8)和第一导电类型重掺杂

区(5)之间的表面具有栅氧化层(6)，栅氧化层(6)的表面是多晶硅栅极(7)。

2.根据权利要求1所述的二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构，其特

征在于，所述第一导电类型为P型，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。

3.根据权利要求1所述的二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构，其特

征在于，所述第一导电类型为N型，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。

4.根据权利要求1、2或3所述的二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结

构，其特征在于，所述半导体衬底基片(1)为外延P型衬底、外延N型衬底或具有

SiOsub2/sub埋层的衬底。

说明书

技术领域

本发明属于电子技术领域，涉及集成电路中用于静电释放(ElectrostaticDischarge，

简称为ESD)的保护电路，尤其涉及可控硅整流器

(SemiconductorControlledRectifier，简称为SCR)静电释放电路结构。

背景技术

静电放电现象是半导体器件或电路在制造、生产、组装、测试、存放、搬运等的过

程中一种常见的现象，其所带来的过量