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微电子设计大赛
承受JTE终端构造VDMOS
的ATLAS仿真;内容;第一局部：MOSFET介绍;MOSFET的分类：;MOSFET主要工作原理〔以N沟道增加型为例〕：
衬底材料为P型硅，源区和漏区均为N+区。在栅极电压为零时，由于氧化层中正电荷的作用使半导体外表耗尽但未形成导电沟道。当在栅极加上正电压是，外表有耗尽层变为反型层，当Vgs=Vt〔阈值电压〕外表发生强反型，即形成n型沟道，则此时加在栅极上的电压Vt即为MOS管的开启电压。在此时，假设在漏源之间加正电压，电子就能够从源极流向漏极，形成漏极向源极的电流。;MOSFET的特点：;功率器件的特征：;功率器件的特征：;功率MOSFET的主要类型：;功率MOSFET的主要类型：;;VDMOS主要参数：;VDMOS主要参数〔静态参数〕：;VDMOS主要参数〔开关参数〕：;VDMOS主要参数〔原理图〕：;Ciss:输入电容〔Cgs+Cgd〕;VDMOS主要动态参数〔原理图〕：;第三局部：VDMOS产品工艺流程;管芯制造：;场氧化;多晶淀积;P+注入;N+注入;PSG回流;金属光刻;钝化层光刻;反面蒸发;划片;
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