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盘点100个模电入门知识点
管的门槛电压约为0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。
2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二
极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电
流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
为0.5伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子。
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映
反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。
14、本征半导体的载流子为电子一空穴对。
15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类
型。
17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是
结电容。
增大,ICQ增大,UCEQ减小。
19、三极管的三个工作区域是截止,饱和,放大。
集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
该三极管是硅管管(材料),NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的C。
增益为80dB,总的电压放大倍数为10000。
22、三极管实现放大作用的外部条件是:发射结正偏、集电结反偏。
型,集电极管脚是a。
合能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载,而前级的输出电阻可视为后级的信号源的
内阻。
多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。
明放大电路的输出电阻为4kΩ。
26、为了保证三极管工作在放大区,要求:①发射结正向偏置,集电结反向偏置。
②对于NPN型三极管,应使VBC0。
27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,共射组态有电
流放大作用,共射和共集组态有倒相作用;共集组态带负载能力强,共集组态向信号源索取的电流小,
共基组态的频率响应好。
29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合,阻容耦合,变压器耦合。
相位差为180°;当为共集电极电路时,则VO和VI的相位差为0。
32、放大器有两种不同性质的失真,分别是饱和失真和截止失真。
33、晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;工作在放大区时,集电结反偏,发射结正
偏。
34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,
可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。
35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,热稳定性好。
36、影响放大电路通频带下限频率fL的是隔直电容和极间电容。
37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。
38、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。
40、场效应管从结构上分成结型FET和MOSFET两大类型,它属于电压控制型器件。
41、场效应管属于电压控制电流型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
42、场效应管是电压控制电流器件,只依靠多数载流子导电。
43、根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区
域。
44、当栅源电压等于零时,增强型FET无导电沟道,结型FET的沟道电阻最
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