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Solid-StateElectronics46(2002)1345–1349

Comparisonofohmiccontactpropertiesonn-GaN/p-SiC

anlGaN/p-SiCheterojunctions

B.Luoa,J.Kima,R.Mehandrua,F.Rena,*,K.P.Leeb,S.J.Peartonb,

A.Y.Polyakovc,N.B.Smirnovc,A.V.Govorkovc,E.A.Kozhukhovac,

A.V.Osinskyd,P.E.Norrisd

aDepartmentofChemicalEngineering,UniversityofFlorida,Gainesville,FL32611,US

bDepartmentofMaterialsScienceandEngineering,UniversityofFlorida,Gainesville,FL32611,US

cInstituteofRareMetals,Moscow109017,Russia

dCorningAppliedTechnologies,Woburn,MA01801,US

Received17October2001;receivedinrevisedform21December2001;accepted10January2002

GaN/SiCandAl0:25Ga0:75N/SiCheterojunctiondiodeswerefabricatedusingAl/Tiforp-ohmiccontacttotheSiC

andTi/Al/Pt/Auforn-ohmiccontacttotheGaNandAlGaN.Annealingat850Cfor20s(GaN)or120s(AlGaN)

wasrequiredforachievingspeciﬁccontactresistancesinthe106Xcm2range.Thereversebreakdownvoltageshowed

anegativetemperaturecoeﬃcientinbothtypesofsample,withvalue5:5Æ2:5Â103V/K.TheIVcharacteristicsof

bothheterojunctionsshowevidenceoftunnelingviadefectstates.2002PublishedbyElsevierScienceLtd.

1.Introductiongrowthmethodandleakagecurrentswerehighforboth

typesofheterojunctions[9].

MostGaN-basedelectronicandphotonicdeviceInthispaperwereportonohmiccontactproperties

structuresaregrownonAl2O3substrates

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