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何东〔B140900200〕肖凡〔B140900208〕于佳琪〔B140900204〕
一、SiCJBS器件的进呈现状
宽禁带半导体材料的优势
当前,随着微电子器件向低功耗、高耐压、高牢靠性方向的进展,对半导体材料的要求也渐渐提高。微电子器件越来越多的应用在高温、高辐照、高频和大功率等特别环境。为了满足微电子器件在耐高温顺抗辐照等领域的应用,需要研发的半导体材料,从而最大限度地提高微电子器件性能。传统的硅器件和神化镌器件限制了装置和系统性能的提高。以碳化硅〔SiC〕和氮化稼〔GaN〕为代表的笫三代半导体材料,山于材料本身的宽禁带宽度和高临界击穿电场等优点成为制作耐高温、高功率和抗辐
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