《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求GBT+41033-2021》详细解读.pptx

《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求GB/T41033-2021》详细解读;;;;适用对象;涵盖内容;不适用范围;;1.基础技术标准;2.规范性引用文件;;在《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求GB/T41033-2021》中，第三部分专门定义了相关的术语、定义和缩略语，以确保标准的一致性和准确理解。这一部分主要包括以下内容

术语和定义：此部分详细列出了在标准中使用的专业术语及其定义。这些术语可能涉及CMOS集成电路、抗辐射加固技术、辐射效应等关键概念。通过明确这些术语的定义，标准确保了读者能够准确理解其含义，并避免了因术语使用不当而导致的误解。

缩略语：为了便于书写和阅读，标准中还列出了一系列缩略语及其对应的全称。这些缩略语可能包括与CMOS集成电路抗辐射加固设计相关的技术术语、机构名称等。通过使用缩略语，标准在保持内容简洁明了的同时，也提高了可读性。

这些术语、定义和缩略语的明确，为理解和实施《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》提供了重要的基础。它们确保了标准的专业性、准确性和可操作性，使得相关从业人员能够依据这些定义进行CMOS集成电路的抗辐射加固设计工作。;;来自宇宙空间的高能粒子，如质子、电子以及X射线和伽马射线。;单个高能粒子穿过集成电路时，可能导致的瞬时故障或潜在损坏。;通过设计和技术手段，提高集成电路抵抗辐射影响的能力。;;;;;;;;;4.4材料选择与替换;;;设计原则;;;;3.辐射硬化技术;;;;设计要求;;;;蒙特卡罗方法;;6.1集成电路辐射效应建模与仿真一般要求;;在《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求GB/T41033-2021》中，关于集成电路辐射效应建模与仿真要求的部分，主要涵盖了以下几个方面;;6.2集成电路辐射效应建模与仿真要求;6.2集成电路辐射效应建模与仿真要求;通过仿真分析，预测CMOS集成电路在辐射条件下的性能退化情况，为加固设计提供依据。;;;;物理模型;1.确定仿真目标;;;;;;;;;;3.试验样品

应选择具有代表性的CMOS集成电路样品进行试验。这些样品应涵盖不同的设计类型、工艺节点和封装形式，以确保试验结果的广泛适用性。;在进行辐照试验之前，应对样品进行初始性能测试，以记录其正常工作状态下的性能参数。;7.2单粒子辐照验证试验要求;THANKS