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December2005D
M
B
5
0
6
FDMB506PP
P-Channel1.8VLogicLevelPowerTrenchMOSFET
GeneralDescriptionFeatures
ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchild
•–6.8A,–20V.RDS(ON)=30mΩ@VGS=–4.5V
Semiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthat
RDS(ON)=38mΩ@VGS=–2.5V
hasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-state
RDS(ON)=70mΩ@VGS=–1.8V
resistanceandyetmaintainlowgatechargefor
superiorswitchingperformance.Thesedevicesare
•Lowprofile–0.8mmum
wellsuitedforportableelectronicsapplication
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