TUTORIAL 4 带散热器的场效应管（FET）产生的辐射

TUTORIAL 4: 带散热器的场效应管（FET）产生的辐射 在本教程中我们用FLO/EMC 来研究一个安装在散热器上的开关场效应管（FET）的辐射特性。我们要讨论的是影响FET和散热器之间耦合的因素以及散热器的辐射能力。我们还将用FLO/EMC来展示由于为噪声源FET提供了更好的回路路径 从而有效减少了散热器的辐射。 本教程指导用户一步步地来建模型并对结果来进行分析。 建模型 定义网格、激励源、材料以及输出 求解并对结果进行分析 在初步分析结果的基础上来提供一个改进方案 对改进方案进行评估 Tutorial 4 – Radiation from a heat sink 通过[Start/All Programs/Flomerics/FLOEMC 5.1/FLOEMC 5.1] 或使用桌面图标 来启动FLO/EMC。 一个弹出式界面提示有关版本的信息，随后打开项目管理器窗口Project Manager (PM)。 为将项目文件（project file）存为一个新的名字，在Project Manager (PM)中依次选择 [Project/Save As]，在‘Project Name’一栏中输入 “Tutorial 4”。 在‘Title’一栏中输入“Heat sink on a PCB excited by a FET”，你也可以点击‘Notes’按钮，如果你想为此分析项目添加注释信息的话。 请注意: 使用“Notes”能更容易地跟踪分析模型参数的改变，而且当协同工作的工程师们交换模型时，这是一种很便捷的方式。 点击‘OK’来退出‘Edit Notes’对话框，将分析项目保存。 在Project Manager (PM)中依次选择[Edit/Preferences]，设置 ‘Display Positions In’为绝对坐标系（‘Absolute Coordinates’）。 在Project Manager (PM)中依次选择[Edit/Units]，设置长度（length）的单位为mm ，频率（frequency）的单位为MHz。 在项目管理器窗口中，通过点击 [Model/Modeling…]来打开 “Modeling”对话框。 在此请注意分析项目可选的不同的分析类型：我们采用的是“emission”的分析类型。激励源是一宽频带的电压脉冲。分析的频率范围是零频率到3.5 GHz。 设置‘Max simulation duration’为 ‘30’ ns(仿真时间也可以用长度单位m来做为单位设置) 。 设置‘Excitation’类型为 ‘Broad band’。 注意：除了将‘Excitation’类型为 ‘Broad band’之外，FLO/EMC还允许将‘Excitation’ 设置为‘direct excitation’或者‘indirect excitation’。 ‘direct excitation’允许用户创建一个特殊的激励源类型并用此激励源来直接激励模型。 ‘indirect excitation’ 首先还是以宽频带脉冲来激励系统并在后处理中通过与用户定义的特殊激励源类型相卷积来得到最终响应。 点‘OK’退出“Modeling”窗口。 在项目管理器中，点击“Drawing Board（绘图板）”图标 ()来打开绘图板窗口，这是FLOEMC中带有CAD 风格的建模窗口。 调整窗口的大小使其正好位于项目管理器件窗口的右手边。 请注意绘图板窗口中给出了3个两维线框视图以及一个三维的线框视图。 在项目管理器窗口中，右键点击 ‘System’来打开‘System Menu’对话框。选择 ‘Location’将求解域的‘Position’设置为(2,?6.5,?42) cm并将求解域的 ‘Size’设置为(30,?27,?20) cm。 ‘System’ 来打开‘System Menu’对话框。选择 ‘Faces’，确保所有的‘Boundary Face Types（边界条件）’设置为‘Open’，不选‘Use Ground Plane’选项，这将仿真开放空间的情况。 点击键盘上的快捷键“r”来将各线框视图调整到最大。 在项目管理器窗口中，点击‘Palette’（选项板）图标 (按F7也会有同样的效果)。选项板中包含了所有在FLOEMC中可以创建的物体，如Enclosures（机箱）、PCBs（电路板）、 Wires（线缆）等。 在Project Manager (PM)中选中 ‘Root Assembly’，点击子目录 ‘Assembly’图标，这将在‘Root Assembly’下创建一个子目录。 将子目录重命名为“H-S and PCB”。 选中“H-S and