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3. 饱和区： 条件：两个结均正偏 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 5 10 15 4 3 2 1 　　对 NPN 型管，UBE 0 UBC 0 。 特点：IC 基本上不随 IB 而变化，在饱和区三极管失去放大作用。 I C ? ? IB。 当 UCE = UBE，即 UCB = 0 时，称临界饱和，UCE UBE时称为过饱和。 饱和管压降 UCES 0.4 V(硅管)，UCES 0. 2 V(锗管) 饱和区 饱和区 饱和区 [例1]:三极管工作状态的判断 例：测量某硅材料NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　 　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝4V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.4V 解： 原则： 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区　UCE ＜ UBE 1.3.4　三极管的主要参数 三极管的连接方式 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc (b)共基极接法 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + (a)共发射极接法 图 1.3.10　NPN 三极管的电流放大关系 一、电流放大系数 是表征管子放大作用的参数。有以下几个： 1. 共射电流放大系数 ? 2. 共射直流电流放大系数 忽略穿透电流 ICEO 时， 3. 共基电流放大系数 ? 4. 共基直流电流放大系数 忽略反向饱和电流 ICBO 时， ? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为： 二、反向饱和电流 1. 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 2.集电极和发射极之间的反向饱和电流 ICEO (a)ICBO测量电路 (b)ICEO测量电路 ICBO c e b ?A ICEO ?A c e b 小功率锗管 ICBO 约为几微安；硅管的 ICBO 小，有的为纳安数量级。 　　当 b 开路时， c 和 e 之间的电流。 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。 图 1.3.11　反向饱和电流的测量电路 三、 极限参数 1. 集电极最大允许电流 ICM 当 IC 过大时，三极管的 ? 值要减小。在 IC = ICM 时， ? 值下降到额定值的三分之二。 2. 集电极最大允许耗散功率 PCM 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 将 IC 与 UCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。 ICUCE PCM 为安全工作区 ICUCE PCM 为过损耗区 IC UCE O PCM = ICUCE 安 全 工 作 区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 过 损 耗 区 图 1.3.11　三极管的安全工作区 3. 极间反向击穿电压 外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。 　　U(BR)CEO：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。 　　U(BR)CBO：发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。 　　安全工作区同时要受 PCM、ICM 和U(BR)CEO限制。 过电压 IC U(BR)CEO UCE O 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 ICM 过流区 图 1.3.11　三极管的安全工作区 1.3.5　PNP 型三极管 　　放大原理与 NPN 型基本相同，但为了保证发射结正偏，集电结反偏，外加电源的极性与 NPN 正好相反。 图 1.3.13　三极管外加电源的极性 (a) NPN 型 VCC VBB RC Rb ~ N N P + ? ? + uo ui (b) PNP 型 VCC VBB RC Rb ~ + ? ? + uo ui P P N PNP 三极管电流和电压实际方向。 UCE UBE + ? + ? IE IB IC e b C UCE UBE (+) (?) IE IB IC e b