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IGBT4芯片性能详细介绍.pdf
IGBT4 chip IGB4 module
- Market mainstream in future
Application Engineer
Zhao Zhenbo
IGBT3 vs. IGBT4
IGBT3 IGBT4
Trench gate
¬ Vcesat reduction
¬ Similar switching speed
Field stop
¬ Reduction of chip thickenss
¬ Vcesat reduction
Common:
¬ SC robustness-10us
¬ Vcesat PTC
¬ Low Vcesat
IGBT4: Softness lower SW losses, high Tvj!!
22.05.2007 For internal use only Copyright © Infineon Technologies 2007. All rights reserved. Page 2
1200V IGBT4 chip generation trade off
s
e HiPo
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s IGBT2 – DLC
o
l
g IGBT3 – E3
n
i IGBT2 – DN2
h MePo
c
t 3
i IGBT – T3
w -15% Eoff IGBT2 – KS4
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l LoPo
a
t
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t -20% Eoff
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LoPo - T4 Low Power Saturation voltage VCEsat [V]
Typical values @ Tvj=125°C
MePo - E4 Medium Power
HiPo - P4 High Power
22.05.2007 For internal use only Copyright © Infineon Technologies 2007. All rights reserved. Page 3
IGBT4 Highlight
! 3 different version of IGBT4 are optimized for different marketing
requirements.
IGBT4 High Power (P4
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