蓝宝石项目晶体生长技术研究报告[受控]2012-.doc

PAGE  PAGE 62 目 录  TOC \o 1-3 \h \z \u  HYPERLINK \l _Toc289147682 1. 背景  PAGEREF _Toc289147682 \h 2  HYPERLINK \l _Toc289147683 2. 蓝宝石晶体的应用  PAGEREF _Toc289147683 \h 2  HYPERLINK \l _Toc289147684 2.1 透红外窗口材料  PAGEREF _Toc289147684 \h 5  HYPERLINK \l _Toc289147685 2.2 微电子领域的衬底基片  PAGEREF _Toc289147685 \h 7  HYPERLINK \l _Toc289147686 2.2.1 半导体GaN的外延衬底基片  PAGEREF _Toc289147686 \h 7  HYPERLINK \l _Toc289147687 2.2.2 SOS微电子电路  PAGEREF _Toc289147687 \h 8  HYPERLINK \l _Toc289147688 2.2.3 ZnO、InN及其它外延膜衬底基片  PAGEREF _Toc289147688 \h 8  HYPERLINK \l _Toc289147689 2.3 激光基质、光学元件及其它用途  PAGEREF _Toc289147689 \h 10  HYPERLINK \l _Toc289147690 3. 蓝宝石单晶的生长方法  PAGEREF _Toc289147690 \h 10  HYPERLINK \l _Toc289147691 3.1 凯氏长晶法(Kyropoulos method)  PAGEREF _Toc289147691 \h 11  HYPERLINK \l _Toc289147692 3.2 柴氏拉晶法(Czochralski method)  PAGEREF _Toc289147692 \h 13  HYPERLINK \l _Toc289147693 3.3 定边膜喂法(Edge-defined Film-fed Growth, EFG)  PAGEREF _Toc289147693 \h 14  HYPERLINK \l _Toc289147694 3.4 热交换法(Heat Exchanger Method)  PAGEREF _Toc289147694 \h 15  HYPERLINK \l _Toc289147695 3.5 温度梯度法、坩埚下降法以及垂直水平温度梯度冷却法  PAGEREF _Toc289147695 \h 16  HYPERLINK \l _Toc289147696 3.5.1 温度梯度法(Temperature gradient technique, TGT)  PAGEREF _Toc289147696 \h 16  HYPERLINK \l _Toc289147697 3.5.2 坩埚下降法(Vertical Gradient Freeze method, VGF)  PAGEREF _Toc289147697 \h 18  HYPERLINK \l _Toc289147698 3.5.3 垂直水平温度梯度冷却法  PAGEREF _Toc289147698 \h 19  HYPERLINK \l _Toc289147699 3.6 冷心放肩微量提拉法(SAPMAC)  PAGEREF _Toc289147699 \h 20  HYPERLINK \l _Toc289147700 3.7 蓝宝石晶体生长技术比较  PAGEREF _Toc289147700 \h 22  HYPERLINK \l _Toc289147701 4. 原料、设备与生产流程  PAGEREF _Toc289147701 \h 23  HYPERLINK \l _Toc289147702 4.1 原料  PAGEREF _Toc289147702 \h 23  HYPERLINK \l _Toc289147703 4.1.1 蓝宝石级高纯氧化铝  PAGEREF _Toc289147703 \h 23  HYPERLINK \l _Toc289147704 4.1.2 坩埚和保护气氛  PAGEREF _Toc289147704 \h 28