单片机课程设计液晶显示.doc

《单片机技术》课程设计说明书 课题名称：液晶显示万年历、时间、星期及温度 目 录 第1章 系统电路设计 1.1 系统总体设计思路1 1.2 设计方案选择1 1.3 功能介绍1 1.4 工作原理2 第2章 单元电路设计 2.1 单片机电路设计3 2.2 时钟电路设计5 2.3 复位电路设计6 2.4 温度传感器电路设计7 2.5 矩阵式键盘设计8 2.6 显示电路设计8 第3章 程序流程图 3.1 中断时钟流程图11 3.2 温度子程序流程图11 3.3 万年历流程图12 第4章 操作与调试 4.1 KEIL uVision3简介14 4.1.1 8051开发工具14 4.1.2 uVision3集成开发环境PEROM ，该芯片采用ATMEL公司高密度、非挥发性存储器工艺制成且与工业标准的MCS-51系列的引脚及指令兼容，FLASH系列存储器为快速擦写存贮器。相对于MCS-51系列芯片而言，其特点如下 ： 1、可擦写1000次 2、全静态操作：0Hz.～24MHz 3、32根可编程I/O口线 4、内部RAM为256字节 5、三个16位的定时/计数器 6、8个中断源 AT89S52有40个引脚，32个外部双向输入/输出（I/O）端口，同时内含2个外中断口，3个16位可编程定时计数器,2个全双工串行通信口，2个读写口线，AT8952可以按照常规方法进行编程，也可以在线编程。其将通用的微处理器和Flash存储器结合在一起，特别是可反复擦写的Flash存储器可有效地降低开发成本。 第二功能 P1.0 T2（定时器/计数器T2的外部计数输入），时钟输出 P1.1 T2EX（定时器/计数器T2的捕捉/重载触发信号和方向控制） P1.5 MOSI（在系统编程用） P1.6 MISO（在系统编程用） P1.7 SCK（在系统编程用） 访问程序存储器控制信号：当信号为低电平时，对ROM的读操作限 定在外部程序存储器；而当信号为高电平时，则对ROM的读操作是从内部程序存储器开始，并可延至外部程序存储器。 ALE地址锁存控制信号：在系统扩展时，ALE用于控制把P0口输出低8位地址锁存起来，以实现低位地址和数据的隔离。此外由于ALE是以晶振六分之一的固定频率输出的正脉冲，因此可作为外部时钟或外部定时脉冲作用。 外部程序存储器读选取通信号：在读外部ROM时有效（低电平），以实现外部ROM单元的读操作。 XTAL1和XTAL2外接晶体引线端：当使用芯片内部时钟时，此二引线端用于外接石英晶体和微调电容；当使用外部时钟时，用于拉外部的时钟脉冲信号。 RST复位信号：当输入的复位信号延续2个机器周期以上高电平时即为有效，用以完成单片机的复位初始化操作。 VSS：地线 VCC：+5V电源 （3）P3口的第二功能如表2-2: 表2-2 P3口第二功能表 引脚号 第二功能 P3.0 RXD（串行输入） P3.1 TXD（串行输出） P3.2 INT0(外部中断0) P3.3 INT0(外部中断0) P3.4 T0（定时器0外部输入） P3.5 T1（定时器1外部输入） P3.6 WR(外部数据存储器写选通) P3.7 RD(外部数据存储器读选通) ③AT89S52的总线结构 AT89S52的管脚除了电源、复位、时钟接入、用户I/O口部分P3外，其余管脚都是为实现系统扩展而设置的。这些管脚构成了三总线形式，即： （1）地址总线（AB）：地址总线宽度为16位，因此，其外部存储器直接地址外围为64K字节。16位地址总线由P0经地址锁存器提供低8位地址（A0～A7）；P2口直接提供高8位地址（A8～A15）。 （2）数据总线（DB）：数据总线宽度为8位，由P0口提供。 （3）控制总线 （CB）：由部分P3口的第二功能状态和4根独立控制线RESET、、ALE、组成。AT89S52结构框图如图2.2所示。 图2.1 AT89S52芯片图 图2.2 AT89S52结构图 2.2时钟电路设计 时钟电路用于产生单片机工作所需要的时钟信号，而时序所研究的是指令执行中各信号之间的相互关系。单片机本身就如一个复杂的同步时序电路，为了保证同步工作方式的实现，电路应在唯一的时钟信号控制下严格地作。 （1）时钟信号的产生 单片机内部有一个高增益反相放大器，其输入端为芯片引脚XTAL1，其输出端为引脚XTAL2。而在芯片的外部，XTAL1和XTAL2之间跨接晶体振荡器和微调电容，从而构成一个稳定的自激振荡器。 电容器C1和C2的作用是稳定频率和快速起振，电容值的范围在5pF∽30pF,典型值为30pF。晶振的频率通常选择两种6MHz和12MHz。只要在单片机的XTAL1和XTAL2引脚外接晶体振荡器就构成了自激振荡器并在单片机内部产生时钟脉冲信号。 （2）时钟振