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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 同步 (isochronous) 应用的例子：实时网络电话 大量 (bulk) 应用的例子：打印机数据、存储器数据的传输 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 提示不同的分类方法 TTL：TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写（Transister-Transister-Logic ），是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造，具有高速度和品种多等特点。 MOS：金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS ） 解释工艺特点： TTL 高速 MOS、CMOS 低功耗 * * 对FLASH MEMORY的历史和特点简述： 闪存最早的发明者是Intel，在1980年，为了解决EEPROM只能以位（bit）为单位进行写入和删除的慢速和成本高的缺陷，Intel在EPROM基础上开发出了能以块为单位进行读写的闪存，因此Flash RAM也被称为快擦写存储器。到了1988年，Intel正式推出了NOR型闪存，而日本的东芝公司则在1987年提交了以EEPROM为基础开发的NAND型闪存技术设计，1989年正式推出相关的产品。后来，三菱公司在NOR的基础上开发出了DiNOR（Divided bit-line NOR）型闪存，日立则在NAND的基础上开发出了AND型闪存，但这两者都还不常见。2003年，三菱与日立的半导体分部合并成立了Renesas（瑞萨）半导体公司，目前该公司主推NOR和AND型闪存。 * * 当一种新技术出现时，人们习惯上总是将其按传统方式分类，闪存就是如此。其分类方法也有多种意见，不过我们只要了解其特点，不必过于拘泥分类。 铁电存储器(FRAM)是第一个非易失性的RAM存储器。它结合了SRAM和DRAM易写入的特性，又具有Flash和EEPROM得非易失性的特点。铁电存储器在性能方面与EEPRON和Flash相比有三点优势之处: 首先，铁电存储器的读写速度更快。与其它存储器相比，铁电存储器的写入速度要快10万次以上。读的速度同样也很快，和写操作在速度上几乎没有太大的区别。其次，FRAM存储器可以无限次擦写，而EEPROM则只能进行100万次的擦写。最后，铁电存储器所需功耗远远低于其他非易失性存储器。 位于麦迪逊市的美国威斯康星大学的科学家们成功地研制出一种原子级存储器，用硅原子取代了目前计算机使用的二进制1和0数据存储方式。这篇发表在《纳米技术》杂志上的论文，标志着原子存储器走向实际应用的第一步，原子将代表比特，构成文字、图像及机读代码等信息。威斯康星科学家的工作证明了原子级存储器的可行性，并且为探索数据存储的基本限制提供了一个平台。但是技术的最终实现还需假以时日，目前明显的缺点是存储器只能在真空的环境下构建出来，并且在写入数据时必须用到显微镜，这使写程序非常耗费功夫。而且，存储密度和速度之间也有所折衷，当密度增加时，读取的能力随之下降，因为你存储一条信息所用空间越来越小。当你把存储器变得更小时，它将变得更慢。新存储器的存储方法可以类比DNA分子天然存储数据的方法，这是非常吸引人的。硅原子存储器使用20个原子存储一个信息比特，包括单个的原子附近的空间。DNA使用32个原子存储一个半化学碱基对信息，它是构成遗传信息的基本单位。 * * 更多的要求包括：体积、重量、可靠性、安装要求等 * * 更多的参数包括： 高、低电平电压范围 高、低电平电流 工作电压范围 多种动态时间参数 … * * 下面首先针对片选的形成进行讲解 * * 下面开始介绍译码 * * 多位地址系统中全译码将耗费大量资源，并不是嵌入式系统所必须。 * * 重点分析定位不唯一的原因 * * 由谁来保证 A13 – A15 至多仅一位为 0 ？ 4个芯片选择：除了3个直接线选，还1个在哪？怎么选？ * * 使用多端口存储器的好处 了解 GPU 吗？解释 GPU 的工作 * * 单端口扩展多端口，需要那些管理逻辑？ * * 逻辑上同时写相同的存储单元的动作是可以出现的，但写入的数据可能是随机的。 可以通过硬件访问标记避免同时写操作 也可以通过软件检测写入信息的方法检查写入的正确性 * * * * 什么情况无需编程功能？（作为程序存储器工作在应用环境中） 编程在哪里实现？（专用编程器） * * 此芯片无片选，可以吗？怎么