[单片机原理及应用技术(第3版)课件]第7章80C51单片机的系统扩展.ppt

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[单片机原理及应用技术(第3版)课件]第7章80C51单片机的系统扩展.ppt

第7章 80C51单片机的系统扩展 7.1 存储器的扩展 扩展总线 片外ROM操作时序 ROM芯片及其扩展方法 RAM扩展原理 数据存储器扩展方法 7.3 81C55接口芯片及其应用 7.4 I2C总线接口及其扩展 I2C总线架构 I2C总线的特点 I2C总线的数据传输 器件地址表 I2C总线典型信号时序模拟 I2C总线典型信号模拟子程序 写操作过程 读操作过程 字节传送与应答 寻址字节 R/W 器件地址 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 位: 8 128 1/0 A0 A1 A2 64K AT24C512B 8 64 1/0 A0 A1 A2 32K AT24C256B 8 64 1/0 A0 A1 A2 16K AT24C128B 8 32 1/0 A0 A1 A2 8K AT24C64A 8 32 2 1/0 A0 A1 A2 4K AT24C32A 1 16 1/0 P0 P1 P2 2K AT24C16A 2 16 1/0 P0 P1 A2 1K AT24C08A 4 16 1/0 P0 A1 A2 512 AT24C04 8 8 1/0 A0 A1 A2 256 AT24C02 8 8 1 1/0 A0 A1 A2 0 1 0 1 128 AT24C01A R/W 片 选 固定标识 最多可挂 器件数 页面写 字节数 内部地址 字节数 寻址字节 字节容量 器件型号 7.4.2 80C51的I2C总线时序模拟 起始信号 STA:SETB SDA SETB SCL NOP NOP CLR SDA NOP NOP CLR SCL RET 终止信号 STP:CLR SDA SETB SCL NOP NOP SETB SDA NOP NOP CLR SDA CLR SCL RET 发应答位“0” ASK:CLR SDA SETB SCL NOP NOP CLR SCL SETB SDA RET 发非应答位“1” NAS:SETB SDA SETB SCL NOP NOP CLR SCL CLR SDA RET SDA EQU P1.7 SCL EQU P1.6 主程序设置: 7.4.3 80C51与AT24C02的接口 AT24C02为串行E2PROM存储器。体积小、功耗低、占用I/O口线少,性能价格比高 WP:写保护控制端,接地时允许写入。 存储器的扩展 7.1 输入/输出及其控制方式 7.2 81C55接口芯片及其应用 7.3 I2C总线接口及其扩展 7.4 7.1.1 程序存储器的扩展 数据总线,P0口 地址总线,高8位P2口、低8位P0口 控制总线,RD、WR、EA、ALE、PSEN 74LS373 片内片外ROM读,用指令MOVC(产生PSEN信号) 片外片外ROM选择,用EA。片外ROM最大容量64K。 【例7-1】读外部ROM时序。 常用ROM芯片特性 0.03 0.1 0.1 0.1 最大维持电流/mA 25 20 20 20 最大工作电流/mA 90 90 120 120 读出时间/ns 28 28 28 28 引脚数 64 KB 32 KB 16 KB 8 KB 容量 27C512 27C256 27C128 27C64 芯片型号 注:应注意优先选用CMOS器件,其读出时间短,耗电少。 常用ROM芯片引脚 扩展电路 读操作时序 7.1.2 数据存储器的扩展 【例7-2】若(DPTR)=2030H,片外RAM单元2030H内容为55H,指令MOV A,@DPTR(该指令代码为E0H)所在片外ROM的地址为2314H。 写操作时序 【例7-3】若(DPTR)=1040H,(A)=88H,指令MOV @DPTR,A(该指令代码为F0H)所在片外ROM的地址为2218H 。 常用RAM芯片特性 200 200 200 最大存取时间/ns 0.5 0.5 2 典型维持电流/mA 8 8 40 典型工作电流/mA 32 KB 16KB 8 KB 容量 62256 62128 6264 芯片型号 常用RAM芯片引脚 扩展电路 7.2 输入/输出及其控制方式 7.2.1 输入/输出接口的功能 单片机与输入/输出设备的关系 输入/输接口的功能 对单片机输出的锁存 对输入设备的三态缓冲 信号转换 时序

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