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注意:
注意2*pi*r
(注意G)
注意
注意:
注意:
注意
注意;
注意第二问
注意
注意:
注意
注意
问题2个:
记住求某一点电流密度的求法。
注意镜像电荷
注意
无限情况
注意
注意
一个波由一种介质进入另一种介质波长变化导致波速变化,频率不变
注意
(损耗角正切值)
注意该处为功率故应是平方。
利用导电媒质波阻抗的定义式(处理既非低损耗媒质也非良导体媒质)
注意有损耗α,β
问题
注意
注意:
注意
2-4.真空中无限长的宽度为a的平板上电荷密度为,求空间任一点上的电场强度。(注意)
解: 在平板上处取宽度为的无限长窄条,可看成无限长的线电荷,电荷线密度为,在点处产生的电场为
其中 ;
对积分可得无限长的宽度为a的平板上的电荷在点处产生的电场为
2-7. 在直角坐标系中电荷分布为
求电场强度。
解: 由于电荷分布具有面对称性,电场分布也具有面对称性,
取一对称的方形封闭面,利用高斯定理,穿过面积为 S的电通量为,方形封闭面内的电量为
因此,电场强度为 题2-9图
2-11. 已知在圆柱坐标中,电场分布为
求电荷分布。
解: 由得
在r=a,r=b的面上,电场不连续,有面电荷.电荷面密度为
2-15.半径为a,长度为L的圆柱介质棒均匀极化,极化方向为轴向,极化强度为(为常数)。求介质中的束缚电荷以及束缚电荷在轴线上产生的电场。
解: (1)介质中的束缚电荷体密度为
(2) 介质表面的束缚电荷面密度为
在圆柱介质棒的侧面上束缚电荷面密度为零;在上下端面上束缚电荷面密度分别为.
(3) 上下端面上束缚电荷产生的电场
由例题2.2, 圆盘形电荷产生的电场为
式中a 为圆盘半径。将坐标原点放在圆柱介质棒中心。
对上式做变换,,,可上端面上束缚电荷产生的电场为
同理,做变换,,,可下端面上束缚电荷产生的电场为
上下端面上束缚电荷产生的总电场为
2-16.半径为a的介质球均匀极化,,求束缚电荷分布及束缚电荷在球中心产生的电场。
解: (1)介质中的束缚电荷体密度为
(2) 介质表面的束缚电荷面密度为 题2-16图
(3) 介质表面的束缚电荷在球心产生的电场
在介质球表面取半径为宽度为的环带,可看成
半径为,,电荷线密度为的线电荷圆环,例2.1给出了线电荷圆环的电场,对积分得
2-28.同轴圆柱形电容器内外半径分别为a、b,导体之间一半填充介电常数为的介质,另一半填充介电常数为的介质。当电压为V时,求电容器中的电场、电容及电荷分布。
解:设内导体上的电量为q,在内外导体之间取半径为 r的圆柱面,利用高斯定理
在两个半柱面上,电场强度分别相等,上式变为
由介质边界条件,可得
2-29.z0半空间为介电常数为的介质,z0半空间为介电常数为的介质,当
(1)电量为q的点电荷放在介质分界面
(2)电荷线密度为的均匀线电荷放在介质分界面
求电场强度。
解:(1)电量为q的点电荷放在介质分界面
以点电荷为中心作以半径为r的球,利用高斯定理
设上、下半球面上的电位移矢量分别、,根据对称性,在上、下半球面上大小分别相等,有
=
根据边界条件,因此
(2)电荷线密度为的均匀线电荷放在介质分界面
以线电荷为轴线作以半径为r单位长度的圆柱面,利用高斯定理
设上、下半柱面上的电位移矢量分别、,根据对称性,在上、下半柱面上大小分别相等,有
=
=
根据边界条件,因此
2-31.电荷分布为(注意)
在x=0处电位为0,求电位分布。
当时,电荷分布可看成薄层,薄层外电场具有对称分布,,即
2-32.两块电位分别为0和V的半无限大的导电平板构成夹角为的角形区域,求该角形区域中的电位分布。
解:由题意,在圆柱坐标系中,电位仅是的函数,在导电平板之间电位方程为
球壳内电荷选内半径,外电荷选外半径
平板电容器两导电平板之间为三层非理想介质,厚度分别为电导率分别为,平板面积为S,如果给平板电容器加电压V,求平板之间的电场。
解:设导电平板之间三层非理想介质中的电场均为匀强电场,分别为、、,根据电压关系和边界条件,、、满足以下关系
4-6.如果上题中电流沿圆周方向流动,求圆筒内外的磁场。
解:由于导电圆
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