[模拟电路考试]模拟综合试卷12.docVIP

模拟综合试卷12 一、填空（24分，每空1分） 1．半导体中存在两种载流子，分别为 和 。杂质半导体分为两种，分别 为 和 。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率，上限角频率，则带宽为 Hz。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8、乙类推挽放大器的主要失真是 ，要消除此失真，应改用 类推挽放大器。 9、负反馈系统产生自激的条件是 ，相应的振幅条件是 ，相位条件是 。 10、若三级放大电路中AU1 AU2 30dB，AU3 20dB，则其总电压增益为 dB，折合为 倍。 11、差分放大电路，若两个输入信号uI1 uI2，则输出电压，uO V；若u I1 100 V，u I 2 80 V则差模输入电压uId V；共模输入电压uIc V。 二、按要求选其中正确的一项填入括号（26分，每小题2分） 1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的。（ ） A 多数载流子浓度增大 B少数载流子浓度增大 C多数载流子浓度减小 D少数载流子浓度减小 2、若要提高某放大器的输入电阻且使输出电压稳定，可以加入下列负反馈： A、电流串联B、电压串联C、电流并联D、电压并联RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ ）。 A、基本共射放大电路 B、基本共集放大电路 C、反相比例运算电路 D、同相比例运算电路 6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ ）。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 7、 某只硅稳压管的稳定电压Vz 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（ ）。 A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v 8、差分放大电路的长尾电阻的主要功能是（ ），而提高共模抑制比。 A 抑制共模信号； B 抑制差模信号； C 放大共模信号； D既抑制共模信号又抑制差模信号； 9、组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ ）。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 10、由NPN型三极管组成的基本共射放大电路的静态工作点设置不当时，输出波形容易产生失真，Q点偏高时的失真叫做 失真，对应的输出电压波形将出现 失真。（ ） A 饱和；顶部 B 饱和；底部 C 截止；底部 D 截止；顶部 11、当我们想要放大频率为10KHZ以上的信号时，应采用（ ）滤波器。 A、低通 B、高通 C、带阻 D、带通 12、石英晶体振荡频率稳定的原因是（ ） A 体积小 B 品质因数高 C 振荡频率高 D 有两个振荡频率 13、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ ）。 A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 三 、电路分析（16分） 1、，反馈极性与组态（6分） （瞬时极性标图1上） （瞬时极性标图2上） 反馈 反馈 2、判断电路工作状况（10分） （1）下图示，请回答问题： 图1电路 （填有或无）放大作用。 简单说明理由： （2）下