模电复习攻略简要.doc

模拟电路复习提纲 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质( Si、 Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 .本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. * PN 结的接触电位差---硅材料约为 0.6~0.8V，锗材料约为 0.2~0.3V。* PN 结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN 结的伏安特性*二极管伏安特性----同ＰＮ结。*正向导通压降------硅管 0.6~0.7V，锗管 0.2~0.3V。 *死区电压------硅管 0.5V，锗管 0.1V。 3.分析方法------将二极管断开 二极管导通(短路); 若 V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 二极管截止(开路) 若 V 阳 V 阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: ----将二极管断开 二极管导通(短路); 若 V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 二极管截止(开路) 若 V 阳 V 阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 *三种模型 微变等效电路法 三. 稳压二极管及其稳压电路 结的反向击穿区， *稳压二极管的特性---正常工作时处在 PN 结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为 NPN 和 PNP 两种。2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态 2. 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 式子 3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。* 输出特性曲线 (饱和管压降，用 UCES 表示 饱和管压降， 放大区---发射结正偏，集电结反偏。截止区---发射结反偏，集电结反偏。4. 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高 ICBO、 ICEO 、 IC 以及 β 均增加。三. 低频小信号等效模型（简化）hie---输出端交流短路时的输入电阻， 常用 rbe 表示； hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用 β 表示； 四. 基本放大电路组成及其原则 VT、 的作用。 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2 的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图解分析法 1. 直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作点 *直流负载线---由 VCC=ICRC+UCE 确定的直线。 1）改变 Rb ：Q 点将沿直流负载线上下移动。 2）改变 Rc ：Q 点在 IBQ 所在的那条输出特性曲线上移动。 3）改变 VCC：直流负载线平移，Q 点发生移动。 2. 交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用---分析信号被放大的过程。*交流负载线--- 连接 Q 点和 V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的 交流负载线--直线。3. 静态工作点与非线性失真 （1）截止失真 *产生原因---Q 点设置过低 产生原因--管削底。 *失真现象---NPN 管削顶，PNP 管削底。*消除方法---减小 Rb，提高 Q。（2） 饱和失真 *产生原因---Q 点设置过高 产生原因--管削顶。*失真现象---NPN 管削底，PNP 管削顶。*消除方法---增大 Rb、减小 Rc、增大 VCC 。4. 放大器的动态范围 opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（1） Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 （2）范围 受截止失真限制， *当（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。