内存时序设置详解.pdf

内存时序设置详解 内容概要 关键词：内存 时序 参数 设置 导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介 绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。 与传统的SDRAM 相比，DDR （Dual date rate SDRSM ：双倍速率SDRAM），最重要的 改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得 DDR 的数据传输速率为传统 SDRAM 的两倍。同样地，对于其标称的如 DDR400 ，DDR333 ， DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说 DDR400 工作频率为 200MHz 。 FSB 与内存频率的关系 首先请大家看看 FSB(Front Side Bus ：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关 系。 FSB/MEM 比率 实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB 和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都 是异步的。同步后，内存的实际运行频率是 FSBx2 ，所 以，DDR400 的内存和200MHz 的 FSB 正好同步。如果你的FSB 为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz 。 FSB 与不同速度的DDR 内存之间正确的设置关系 强烈建议采用1：1的FSB 与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。 内存时序设置 内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时 序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性 能。 涉及到的参数分别为：  CPC : Command Per Clock  tCL : CAS Latency Control  tRCD : RAS to CAS Delay  tRAS : Min RAS Active Timing  tRP : Row Precharge Timing  tRC : Row Cycle Time  tRFC : Row Refresh Cycle Time  tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)  tWR : Write Recovery Time  ……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto ，Enable(1T)，Disable(2T) 。 Command Per Clock(CPC ：指令比率，也有翻译为：首命令延迟) ，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate 等。由于目前的DDR 内存的寻址，先要进行P-Bank 的选择（通 过DIMM 上CS 片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选 择。这个参数的含 义就是指在 P-Bank 选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的 L-Bank/行激活命令，单位 是时钟周期。 显然，CPC 越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增 加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间， 才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为 Disable(2T) ，如果玩家的内存质量很好，则可以将其