1第1章 半导体分立器件.ppt

PN结具有单向导电性定义 1.当PN结外加正向电压时，有较大的正向电流,呈现一低电阻特性, PN结导通； 1.2.2 二极管应用电路 二极管电路分析举例 小结： 1.4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 输入特性 2. 输出特性 1.4.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 一 、基本放大电路的组成 一 、基本放大电路的组成 一、 基本放大电路的组成 小结： 基本放大电路的组成 二、 共射放大电路的静态分析 结论： (二) 用图解法确定静态值 (二)用图解法确定静态值 三、共射放大电路的动态分析 结论： 结论： 动态分析图解法 1.4.2 分压式(射极)偏置电路 1. 稳定Q点的原理 1.4.2 分压式(射极)偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 小结： 非线性失真 非线性失真 非线性失真 习题 小 结 第 1 章 总结 一、两种载流子和两种半导体 两种载流 子的运动 电子 空穴 两 种 半导体 N 型 (多电子) P 型 (多空穴) 二、PN结 1.当PN结外加正向电压时，有较大的正向电流,呈现一低电阻特性, PN结导通； 2.当PN结外加反向电压时，电流很小，呈现一高电阻特性， PN结截止。 具有单向导电性定义 iD O uD U (BR) I F URM 2. 主要参数 正向 — 最大平均电流 IF 反向 — 最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿) 反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响) IS 二、二极管 1. 特性 — 单向导电 正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大(?)。 3. 二极管的等效模型 理想模型 (大信号状态采用) 正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开 恒压降模型 否则截止，相当于二极管支路断开 UD(on) = (0.6 ? 0.7) V 估算时取 0.7 V 硅管： 锗管： (0.1 ? 0.3) V 0.3 V 正偏电压 导通时等效为恒压源UD(on) 4. 二极管的分析方法 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 5. 特殊二极管 工作条件 主要用途 稳压二极管 反 偏 稳 压 发光二极管 正 偏 发 光 光敏二极管 反 偏 光电转换 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ U I O 三、半导体放大器件 半导体三极管(晶体三极管) 两种载流子导电 晶体三极管 1. 形式与结构 NPN PNP 三区、三极、两结 2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大 放 大 条 件 内因：发射区载流子浓度高、 基区薄、集电区面积大 外因：发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 IE = IC + IB IC = ? IB IE = (1 + ? ) IB 4. 特性 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 O 0.4 0.8 iB / ?A uBE / V 60 40 20 80 死区电压(Uth)： 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管) 工作电压(UBE(on) ) ： 0.6 ? 0.7 V 取 0.7 V (硅管) 0.2 ? 0.3 V 取 0.3 V (锗管) 饱 和 区 截止区 放大区特点： 1)iB 决定 iC 2)曲线水平表示恒流 3)曲线间隔表示受控 放大区 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 饱和区 截止区 5. 参数 特性参数 电流放大倍数 ? 极间反向电流 ICBO ICEO 极限参数 ICM PCM U(BR)CEO uCE O ICEO iC ICM U(BR)CEO PCM 安 全 工 作 区 = (1 + ?) ICBO 1. 理解单管交流放大电路的放大作用和共发射极、 共集电极放大电路的性能特点。 掌握静态工作点的估算方法和放大电路的微变等 效电路分析法。 3. 掌握放大电路输入、输出电阻和多级放大的概念. 四、基本放大电路 固定偏置共射极放大电路 +UCC RB RC C1 C2 T + + ui + – uo + – +